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2027年前鎧俠將推出讀取速度提升近100倍的SSD

到了最近，鎧俠宣布，計(jì)劃在2027年前推出數(shù)據(jù)讀取速度提升近100倍的SSD，目標(biāo)直指生成式AI服務(wù)器市場(chǎng)。

這款SSD通過(guò)直接與GPU連接取代部分高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）功能，是響應(yīng)英偉達(dá)需求而開(kāi)發(fā)，并按照后者技術(shù)要求進(jìn)行優(yōu)化。

鎧俠強(qiáng)調(diào)，新產(chǎn)品將支持下一代PCIe 7.0接口標(biāo)準(zhǔn)，單個(gè)SSD目標(biāo)為1億IOPS，兩個(gè)SSD并聯(lián)可滿足英偉達(dá)提出的2億IOPS需求。

鎧俠憑借NAND閃存的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，試圖用SSD替代部分HBM場(chǎng)景，同時(shí)彌補(bǔ)自身缺乏DRAM產(chǎn)品的戰(zhàn)略短板。

技術(shù)團(tuán)隊(duì)還采用新一代XL-FLASH高速NAND，通過(guò)控制單存儲(chǔ)元件數(shù)據(jù)量（1-2比特）提升速度和耐久性。雖然成本略高于傳統(tǒng)NAND，但相比HBM仍具明顯價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力。

為實(shí)現(xiàn)速度突破，鎧俠工程師采用增加NAND芯片平面分割數(shù)、優(yōu)化頁(yè)單位讀取尺寸（縮至512字節(jié)）等方案。技術(shù)負(fù)責(zé)人表示，即便犧牲芯片面積也要換取讀取性能。不過(guò)，如何在縮小頁(yè)尺寸的同時(shí)抑制電力消耗成為關(guān)鍵挑戰(zhàn)。

存儲(chǔ)芯片部門(mén)已啟動(dòng)第三代XL-FLASH開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)近期投產(chǎn)，為1億IOPS SSD提供核心支持。

商業(yè)化路徑顯示，2026年鎧俠將先推出1000萬(wàn)IOPS樣品，采用第二代XL-FLASH驗(yàn)證技術(shù)可行性。2027年最終產(chǎn)品搭載第三代XL-FLASH，速度達(dá)到1億IOPS。市場(chǎng)策略上，除AI訓(xùn)練外，鎧俠還將推出針對(duì)推理和檢索增強(qiáng)生成（RAG）場(chǎng)景的差異化產(chǎn)品，并擴(kuò)展數(shù)據(jù)中心大容量近線SSD市場(chǎng)。

AI生態(tài)布局展現(xiàn)戰(zhàn)略野心

鎧俠明確要受益AI服務(wù)器投資熱潮。與英偉達(dá)的深度綁定，不僅加速技術(shù)迭代，更直接打開(kāi)生成式AI基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)。通過(guò)性能與價(jià)格的平衡，鎧俠正試圖在HBM主導(dǎo)的領(lǐng)域撬動(dòng)結(jié)構(gòu)性變革。

崔歡歡