在美國(guó)閃存峰會(huì)上提到了高帶寬閃存(High Bandwidth Flash, HBF),旨在復(fù)刻HBM的設(shè)計(jì)理念,在NAND層面實(shí)現(xiàn)超高并行與帶寬,解決AI訓(xùn)練過(guò)程中存儲(chǔ)帶寬瓶頸問(wèn)題。
這類產(chǎn)品不再追求單顆容量極限,而是強(qiáng)調(diào)IO接口密度與隨機(jī)訪問(wèn)性能。
還有長(zhǎng)存的Xtacking 4.0 技術(shù),即長(zhǎng)江存儲(chǔ)主推的新一代三維晶棧技術(shù),強(qiáng)調(diào)將控制邏輯與存儲(chǔ)單元分別制造、再通過(guò)混合鍵合連接,顯著提升堆疊密度和帶寬通道。
還有Memory-over-Fabrics(MoF),讓內(nèi)存跨服務(wù)器部署成為可能,是CXL思路的延展與放大。
靈活數(shù)據(jù)放置(FDP, Flexible Data Placement)則是OCP新標(biāo)準(zhǔn)之一,幫助SSD實(shí)現(xiàn)更細(xì)粒度的塊管理與寫入效率。
還有RAG(Retrieval-Augmented Generation)相關(guān)的存儲(chǔ)優(yōu)化探索,顯示出廠商們已開始為AI智能體的動(dòng)態(tài)讀寫行為設(shè)計(jì)新型NAND調(diào)度與緩存機(jī)制。
中國(guó)CCF存儲(chǔ)大會(huì)上,值得關(guān)注的是此前曾轟動(dòng)全球的復(fù)旦大學(xué)成功研制“破曉”皮秒閃存,子彈射出槍口的速度大約是1毫秒,閃存擦寫速度相當(dāng)于它的2500萬(wàn)倍,,擦寫速度達(dá)400皮秒,約每秒可執(zhí)行25億次操作,刷新全球存儲(chǔ)速度紀(jì)錄!
存算一體也是反復(fù)出現(xiàn)的焦點(diǎn),其核心在于讓數(shù)據(jù)在“存儲(chǔ)就地”完成部分計(jì)算,減輕內(nèi)存帶寬與能耗負(fù)擔(dān),推動(dòng)AI推理下沉。
KV Cache(鍵值存儲(chǔ))也成為關(guān)鍵詞,它源自大模型推理中token上下文緩存機(jī)制,在固態(tài)存儲(chǔ)中實(shí)施將大幅降低顯存與內(nèi)存壓力。
而新介質(zhì)方向方面,自旋存儲(chǔ)芯片(MRAM)以其非易失、高耐久特性被視為SRAM與DRAM之間的理想補(bǔ)位選手。
還有全球閃存峰會(huì)。大容量(High Capacity)依然是繞不過(guò)的話題,從60TB以上的SSD原型到QLC與PLC的耐久性突破,都映射著“單位瓦特/單位元/單位RU”這三大維度的優(yōu)化趨勢(shì)。
而KV Cache作為關(guān)鍵技術(shù)也在全球范圍內(nèi)成為焦點(diǎn),說(shuō)明其在RAG工作流、AI向量數(shù)據(jù)庫(kù)中的核心地位正在被普遍接受。還有RISC-V架構(gòu)存儲(chǔ)控制器開始登臺(tái),代表開放計(jì)算生態(tài)正在逐步打破X86長(zhǎng)期主導(dǎo)局面。
如果將這三大會(huì)議的關(guān)鍵詞拆解重組,可以看出未來(lái)存儲(chǔ)的發(fā)展呈現(xiàn)出三大主線。
一是帶寬先行,以HBF、X-HBM、Memory-over-Fabrics為代表的架構(gòu)正在推高IO密度,適配AI加速卡和智能體時(shí)代的爆發(fā)式請(qǐng)求模式。
二是結(jié)構(gòu)革新,混合鍵合技術(shù),旨在打破單顆芯片堆疊限制,為未來(lái)百層以上堆疊做好準(zhǔn)備,同時(shí)適配存算、KV Cache等新算法場(chǎng)景。
三是介質(zhì)突破與能效優(yōu)化,亞納秒NAND、MRAM、KV架構(gòu)SSD顯示出全球正嘗試從原材料層、設(shè)計(jì)架構(gòu)層雙重革新,以迎接AI智能體數(shù)據(jù)調(diào)用高頻、非線性增長(zhǎng)的挑戰(zhàn)。
最后
今天的技術(shù)關(guān)鍵詞,也許是明天的標(biāo)準(zhǔn)配置。從高帶寬、結(jié)構(gòu)重塑到介質(zhì)創(chuàng)新,三大會(huì)場(chǎng)給出了存儲(chǔ)未來(lái)的三條路。而誰(shuí)能把握這些路口的最優(yōu)組合,誰(shuí)就能在AI+存儲(chǔ)的黃金十年中脫穎而出。然而,正如我所見,這仍只是拼圖的一角——真正的變革,或許還在更遠(yuǎn)的角落等待發(fā)現(xiàn)。