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先進存力 第2頁

關(guān)注Flash、Memory、HBM、SSD、硬盤、閃存、存儲系統(tǒng)等方向的最新動態(tài)
當下與未來:存儲介質(zhì)新勢力-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

當下與未來:存儲介質(zhì)新勢力

AI時代下,企業(yè)對存儲介質(zhì)與架構(gòu)提出了更高要求——不僅要速度更快、容量更大、能耗更低、壽命更長,還要能夠靈活適配多場景。 傳統(tǒng)的NAND Flash與DRAM雖然依舊是主力,但已經(jīng)難以完全覆蓋AI、IoT、車載系統(tǒng) 等場景的“全能”需求。與...

崔 歡歡崔 歡歡
當數(shù)據(jù)中心“跑”上公路,未來加速中!-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

當數(shù)據(jù)中心“跑”上公路,未來加速中!

智能汽車正在向移動的數(shù)據(jù)中心加速演進,從車內(nèi)的一次語音指令、一幀視頻畫面,再到每一次的系統(tǒng)級決策,背后都離不開算力、網(wǎng)絡與存儲的高效協(xié)同。 長期以來,存儲技術(shù)被視為系統(tǒng)的配角,往往在容量告急或是系統(tǒng)卡頓時才有一點“存在”感。而在智能汽車時代...

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分!分!分層停不下來……盤點存儲技術(shù)的創(chuàng)新與需求細分-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

分!分!分層停不下來……盤點存儲技術(shù)的創(chuàng)新與需求細分

在上一篇文章《到底什么叫“近線存儲”? 》中,我們提到了硬盤的單位容量性能并沒有與時俱進,甚至出現(xiàn)了倒退。這具體是什么意思呢? 什么單位容量性能 基本上所有存儲器都存在容量增加,但性能并不一定能同步增長,甚至出現(xiàn)倒退的問題。如果再將帶寬這類...

朱 朋博朱 朋博
華為存儲二十年:從追趕者到全球領(lǐng)導者-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

華為存儲二十年:從追趕者到全球領(lǐng)導者

2025年,華為在企業(yè)級存儲市場上占據(jù)著舉足輕重的地位。幾天前,在Gartner發(fā)布的《2025年企業(yè)存儲平臺魔力象限報告》,華為成功入選領(lǐng)導者象限,是中國唯一躋身該象限的廠商,類似的故事已經(jīng)多次發(fā)生在華為存儲身上。 從籍籍無名到如今的市場...

朱 朋博朱 朋博
存儲往事(3):新王當立,AI時代誰主沉???-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

存儲往事(3):新王當立,AI時代誰主沉?。?/a>

在第一篇文章中,我們回顧了企業(yè)存儲技術(shù)的基石。第二篇的故事,讓我們見證了資本巨鱷在談判桌上的合縱連橫,深刻地說明了,在成熟的產(chǎn)業(yè)格局中,戰(zhàn)略、資本與遠見,其重要性絲毫不亞于技術(shù)本身。 然而,就在巨頭們忙于通過并購來鞏固城池的時候,新的顛覆者...

未來存儲技術(shù)拼圖之我看到的一角-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

未來存儲技術(shù)拼圖之我看到的一角

在全球AI浪潮席卷之下,存儲產(chǎn)業(yè)正迎來前所未有的技術(shù)密集期。2025年,美國閃存峰會、全球閃存峰會、中國存儲大會分別拋出了各自的“技術(shù)硬幣”,關(guān)鍵詞眾多,足以折射出一組清晰的未來圖景。而我基于自身淺薄的認知嘗試掀起拼圖的一角,如CXL、HB...

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HBM與HBF:AI內(nèi)存革命的雙軌演進-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

HBM與HBF:AI內(nèi)存革命的雙軌演進

2023年至2025年間,HBM(高帶寬內(nèi)存)作為AI基礎(chǔ)設(shè)施構(gòu)建中不可替代的關(guān)鍵器件,迅速成為全球AI芯片企業(yè)的剛需。 尤其在AI訓練、高性能計算領(lǐng)域,HBM3/3e成為高端算力芯片的標配,包括英偉達GH200、AMD MI300系列及國...

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行業(yè)觀察:AI時代的存儲選擇-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

行業(yè)觀察:AI時代的存儲選擇

IDC近期發(fā)布的《理解人工智能數(shù)據(jù)周期和閃存在各行業(yè)的應用》(后文簡稱“IDC報告”)報告指出,到2030年,AI將為全球經(jīng)濟貢獻高達19.9萬億美元。但伴隨實際價值到來的還有AI場景快速普及,各行各業(yè)面臨的數(shù)據(jù)量爆炸式增長、數(shù)據(jù)流動更復雜...

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日本Rapidus 2nm工藝邏輯密度追平臺積電N2-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務平臺

日本Rapidus 2nm工藝邏輯密度追平臺積電N2

近期,日本芯片制造商 Rapidus 的 2nm 節(jié)點 2HP 引發(fā)業(yè)內(nèi)的關(guān)注。據(jù)消息人士 Kurnal 表示,通過對 Rapidus 分享的數(shù)據(jù)進行擬合計算,其 2HP 工藝邏輯密度可達 237.31 MTr/mm2,與臺積電同代制程 N...

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