2025年4月29日，據(jù)南華早報(bào)報(bào)道稱，國(guó)內(nèi)研究團(tuán)隊(duì)成功構(gòu)建一個(gè)以國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)參數(shù)運(yùn)行的極紫外 (EUV) 光源平臺(tái)，突破了國(guó)產(chǎn)先進(jìn)芯片的障礙。該團(tuán)隊(duì)來自中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所，由曾任荷蘭ASML公司光源技術(shù)負(fù)責(zé)人的林楠領(lǐng)導(dǎo)，這項(xiàng)成果...

崔 歡歡2025-04-29先進(jìn)存力

英特爾正準(zhǔn)備在D1X 工廠加大對(duì)7nm EUV光刻工藝的研發(fā)，這座工廠位于美國(guó)俄勒岡州，晶圓廠擴(kuò)建通常需要數(shù)十億美元，而EUV光刻的大規(guī)模采用預(yù)計(jì)會(huì)增加額外成本。 英特爾目前正在努力完善一種稱為極紫外光刻（EUV）的新制造工藝，這將使微芯片...

張 妮娜2019-01-24業(yè)界動(dòng)態(tài)