Cadence 112G-ELR SerDes在TSMC 3nm工藝環(huán)境下的眼圖(106.25 Gbps PAM4)

ELR SerDes PHY符合IEEE和OIF長距離(LR)標準,在基礎規(guī)格之外提供了額外的性能裕度。上方圖片展示了三個張大的眼圖,它們在PAM4模式下具有良好的對稱性,將四個信號電平分開。3nm演示展示了E-10級的卓越誤碼率(BER)性能以及39dB bump間通道,與28dB Ball間插損誤碼率小于1E-4的標準規(guī)格相比提供了充足的性能余量。

TSMC 3nm工藝環(huán)境下的Cadence 112G-ELR SerDes測試板

112G-ELR SerDes IP同時支持中距離(MR)和超短距離(VSR)應用,實現(xiàn)不同信道更靈活的功耗節(jié)省。NRZ和PAM4信號下的數(shù)據傳輸速率從1G到112G,實現(xiàn)背板,直連線纜(DAC),芯片間以及芯片到模塊的可靠高速數(shù)據傳輸。

SerDes IP采用領先的基于DSP的架構,通過最大可能性序列檢測(MLSD)和反射抵消技術實現(xiàn)損耗及反射信道的系統(tǒng)穩(wěn)定。MLSD技術可以優(yōu)化BER,提供更強大的突發(fā)性錯誤處理能力。通過專有的實現(xiàn)技術,Cadence能確保MLSD的功耗開銷最小。反射消除技術消除了具有實際走線和連接器的產品環(huán)境中的雜散、遠距離反射,從而提供穩(wěn)健的BER結果。

3nm工藝下的Cadence 112G-ELR SerDes解決方案進一步強化了我們在高性能互聯(lián)IP領域的領導力,是大規(guī)模數(shù)據中心的理想選擇,客戶也可以從TSMC的3nm工藝中獲得更顯著的功耗和性能優(yōu)化,是目前在PPA和晶體管領域最先進的技術。

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