新的存儲(chǔ)技術(shù)時(shí)不時(shí)就會(huì)冒出來一個(gè)，但從研發(fā)到商用總是要?dú)v經(jīng)漫長的艱難坎坷。如果說Crossbar這種小型創(chuàng)業(yè)公司的電阻式RRAM讓你感到信心不足，那么存儲(chǔ)大廠美光的可變電阻式ReRAM會(huì)不會(huì)更有吸引力?

其實(shí)，美光早在2007年就提出了這種技術(shù)，此后幾乎每年都會(huì)透露一些進(jìn)展，但就是距離量產(chǎn)遙遙無期，這次也沒有給出具體時(shí)間表。

美光是和索尼聯(lián)合研發(fā)ReRAM的，其基本原理和Crossbar RRAM有些類似，同樣是非易失性存儲(chǔ)，但是更強(qiáng)調(diào)電阻可變，同時(shí)為了區(qū)分，縮寫也有所不同。

美光這次在IEEE IEDM 2014國際電子設(shè)備大會(huì)上上公布的原型采用了27nm CMOS工藝制造，三層銅線互連，單顆容量16Gb(2GB)，內(nèi)核面積168平方毫米。作為原型，它采用了DDR內(nèi)存接口，但后期很容易替換。

美光表示，理想的指標(biāo)是讀寫帶寬1000MB/s、200MB/s，讀寫延遲2微秒、10微秒，而目前的原型可以發(fā)揮大約九成的功力。

設(shè)計(jì)指標(biāo)與內(nèi)核局部照片

設(shè)計(jì)指標(biāo)與原型指標(biāo)

內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)示意圖

索尼也有很大的貢獻(xiàn)