東芝日前展示了他們和閃迪聯(lián)合開發(fā)的15nm NAND閃存，但是對于核心面積、存儲密度等關(guān)鍵參數(shù)只字未提，AnandTech于是進行了一番探索，結(jié)果相當震驚。

結(jié)合晶圓尺寸經(jīng)過估算，東芝/閃迪15nm 128Gb(16GB)閃存顆粒的面積為139平方毫米，相比于美光16nm小了足足20%，對比美光20nm更是小了超過31%。

存儲密度也就很容易得出了：0.92Gb每平方毫米。這已經(jīng)十分逼近三星堆疊了24層的同容量顆粒，甚至超過了第一代的32曾堆疊(86Gb)，也創(chuàng)下了平面閃存的最新記錄，比此前美光16nm提高了足足24%。

東芝和閃迪要到2016年初才會進入3D閃存時代，原因就不言自明了：15nm工藝都可以如此有效地縮小面積、提高密度，干嗎要急著3D?

目前官方還沒有公布詳細的架構(gòu)圖，所以不知道東芝/閃迪究竟用了什么方法才有如此高校的成果。

東芝/閃存15nm閃存正在開始加緊量產(chǎn)，相關(guān)固態(tài)硬盤產(chǎn)品會在第四季度推出。