隨著三級單元（簡稱TLC）NAND普及程度的穩(wěn)步提高，Silicon Motion公司正積極圖謀利用其于本周閃存存儲峰會上發(fā)布的最新SSD控制器進一步加快上述趨勢。該公司表示，其商用SM2256每秒6Gbit SSD控制器支持1x/1y/1z TLC NAND，不僅是該類別中的首款產(chǎn)品、而且建立在其去年發(fā)布的初代SATA 3 SSD控制器的容量基礎(chǔ)之上。

Silicon Motion公司美國SMI副總裁兼總經(jīng)理Robert Fan表示，SM2256的設(shè)計目的在于利用其客戶端設(shè)備為大量TLC NAND提供支持——其中包括3D NAND，并計劃借此幫助OEM廠商獲取包括固件在內(nèi)的完整軟件包、從而不斷向市場投放新的TLC NAND SSD產(chǎn)品。他強調(diào)稱，這項新型控制器技術(shù)將有助于降低TLC NAND SSD產(chǎn)品價格，從而使其應(yīng)用在更為廣泛的客戶端設(shè)備之上——其中包括目前仍普遍使用傳統(tǒng)磁盤驅(qū)動器的筆記本設(shè)備。

今年早些時候IHS Technology發(fā)布了一份報告，調(diào)查發(fā)現(xiàn)目前HDD市場由于智能手機與平板設(shè)備的快速崛起而陷入困境，這種狀況也在一定程度上給消費級PC市場帶來 了影響。不過SSD市場仍在持續(xù)增長，這要歸功于近來出現(xiàn)的SSD成本下降外加超級本與超薄式PC設(shè)備所引發(fā)的閃存驅(qū)動器使用熱潮。

TLC NAND方案面臨的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)之一在于使用壽命，就這一問題Fan表示可以利用合理的控制器技術(shù)成果加以解決，而這反過來都會進一步促進TLC NAND的普及。SM2256控制器當(dāng)中包括該公司的NANDXtend技術(shù)，根據(jù)他的說法，該技術(shù)能夠為TLC NAND帶來三倍于初始水平的P/E生命周期、同時克服了其在耐用性及數(shù)據(jù)保留方面的短板。

在性能方面，SM2256的連續(xù)讀取能力可達每秒524Mb，連續(xù)寫入能力則可達每秒400Mb，而隨機讀取與隨機寫入則分別可達9萬IOPS與7 萬IOPS。Fan表示SM2256的完整設(shè)計工具如今已經(jīng)正式推出，其中包括一份控制器數(shù)據(jù)表、評估方案、原理圖以及固件。該產(chǎn)品也能支持客戶的自定義 固件。Silicon Motion預(yù)計使用SM2256控制器的閃存產(chǎn)品將于明年年初與廣大用戶見面。

Objective分析公司首席分析師Jim Handy指出，Silicon Motion目前在對應(yīng)市場區(qū)劃中擁有極具吸引力的定位，這主要是考慮到希捷已經(jīng)收購了LSI、而Marvell也受到了相當(dāng)程度的認可。盡管 Silicon Motion并沒有在建立之初就邁入SATA SSD控制器供應(yīng)商陣營，但該公司自去年開始已經(jīng)開始沖擊這一市場，并依靠自身在USB設(shè)備控制器方面的豐富經(jīng)驗為TLC產(chǎn)品推廣與使用體驗改進提供輔 助，他解釋稱。

Handy表示，他曾在一年前預(yù)計TLC將迎來普及度提升，并指出這樣的成長軌跡與MLC閃存頗為相似——后者當(dāng)初也曾被認為無法勝任客戶機SSD 的可行方案。然而在找到了市場突破口之后，MLC最終還是取得了進軍企業(yè)級市場的途徑。他認為TLC將遵循同樣的發(fā)展路線——在不久的將來被應(yīng)用為客戶機 SSD，并最終出現(xiàn)在企業(yè)設(shè)備當(dāng)中。當(dāng)然，這一切在未來一到兩年中恐怕還無法實現(xiàn)。

與此同時，內(nèi)存供應(yīng)商們正積極尋求改進NAND整體成本競爭力的辦法。舉例來說，美光公司正在推進其16納米TLC路線圖，并預(yù)計將在今年年底時拿 出16納米TLC產(chǎn)品的示范性組件——基于客戶機的TLC SSD則將在2015年春季面世。三星曾于2012年秋季公布過采用TLC機制與21納米制程技術(shù)的64 Gbit NAND閃存產(chǎn)品，并于2013年5月公布了采用10納米級別制程技術(shù)以及128 Gbit TLC NAND芯片的高級NAND閃存設(shè)備。