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SLC

傳統(tǒng)上，每個存儲單元內(nèi)存儲1個信息比特，稱為單階存儲單元(Single-Level Cell,SLC)，使用這種存儲單元的閃存也稱為單階存儲單元閃存(SLC flash memory)，或簡稱SLC閃存。SLC閃存的優(yōu)點是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長。然而，由于每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節(jié)需花費較高的成本來生產(chǎn)。由于快速的傳輸速度，SLC閃存技術(shù)會用在高性能的儲存卡。

MLC

多階存儲單元(Multi-Level Cell,MLC)可以在每個存儲單元內(nèi)存儲2個以上的信息比特，其“多階”指的是電荷充電有多個能階(即多個電壓值)，如此便能存儲多個比特的值于每個存儲單元中。借由每個存儲單元可存儲更多的比特，MLC閃存可降低生產(chǎn)成本，但比起SLC閃存，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲單元的壽命較低，因此MLC閃存技術(shù)會用在標準型的儲存卡。另外，如飛索半導體的MirrorBit®技術(shù)，也是屬于這一類技術(shù)。

TLC

三階儲存單元(Triple-Level Cell,TLC)，這種架構(gòu)的原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內(nèi)儲存3個信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短，大約500~1000次。