DRAM內(nèi)存有一明顯缺點(diǎn)就是斷電后會(huì)丟失全部數(shù)據(jù)，但也有一種特殊的非易失性NVDIMM，通過(guò)電池或超級(jí)電容在斷電后維持運(yùn)行、轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)。目前，DDR4上也終于出現(xiàn)了NVDIMM，來(lái)自SMART Modular。相比于固態(tài)硬盤(pán)，DDR4 NVDIMM的持續(xù)數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)吞吐量可高出1000倍，而延遲只有1/1000，并且運(yùn)行于硬件層面，沒(méi)有軟件制約。

該產(chǎn)品在標(biāo)準(zhǔn)DDR4-2133內(nèi)存條的基礎(chǔ)上，增加了必要的軟硬件，特別是有其獨(dú)家技術(shù)SafeStor，結(jié)合多通道NAND閃存、切換電路、混合超級(jí)電容模塊，可即時(shí)檢測(cè)運(yùn)行情況，進(jìn)行穩(wěn)健的備份和恢復(fù)，還支持端到端的ECC錯(cuò)誤校驗(yàn)。

JEDEC、SNIA(全球網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)工業(yè)協(xié)會(huì))等標(biāo)準(zhǔn)組織和Intel、Supermicro等廠(chǎng)商都在積極推進(jìn)NVDIMM。

另外，Netlist今天也發(fā)布了號(hào)稱(chēng)業(yè)內(nèi)性能最強(qiáng)的NVDIMM，基于傳統(tǒng)DDR3 RDIMM，頻率1600MHz，容量4/8GB。