DOSTOR首爾現(xiàn)場報道：2014年7月1日三星電子在首爾舉辦“2014三星固態(tài)硬盤全球峰會”，作為全球領(lǐng)先的存儲品牌三星電子，此次峰會中發(fā)布了基于3D V-NAND閃存技術(shù)的850PRO固態(tài)硬盤（SSD）。

三星850PRO將于7月起在全球53個國家和地區(qū)上市。將提供128GB、256GB、512GB和1TB等不同存儲容量的版本。 為用戶帶來全新的固態(tài)硬盤性能體驗。

據(jù)Gartner近期的一項研究數(shù)據(jù)顯示，全球固態(tài)硬盤市場規(guī)模預(yù)計將從2013年的110.4億美元發(fā)展到2014年的144.7億美元，2017年則將達到235.4億美元。 

三星3D V-NAND閃存采用了創(chuàng)新的的垂直設(shè)計制造。其垂直架構(gòu)堆疊在高達32cell層通過不減少cell的長度和寬度，保持外形不斷縮小。這種架構(gòu)通過在更小的空間實現(xiàn)更高的容量和更高性能。三星的3D V-NAND技術(shù)與傳統(tǒng)的平面NAND架構(gòu)比較，實現(xiàn)了密度的極限突破。

“ 三星電子此次推出全新850 PRO V-NAND固態(tài)硬盤，旨在推動固態(tài)硬盤領(lǐng)域的技術(shù)革新，并以其卓越的耐用性、高性能和高能效，引領(lǐng)高容量固態(tài)硬盤市場的發(fā)展。”  三星電子存儲事業(yè)部品牌存儲營銷部金彥洙專務(wù)指出：“我們將致力于為客戶提供尖端V-NAND高性能固態(tài)硬盤，助力創(chuàng)新性計算環(huán)境的建立。”

此次推出的850 PRO固態(tài)硬盤，基于三星V-NAND專利技術(shù)，適用于高端個人電腦和工作站。三星的V-NAND閃存采用垂直單元結(jié)構(gòu)，不僅突破了具有平面架構(gòu)的傳統(tǒng)閃存在容量上的局限性，更能大幅提高產(chǎn)品的讀寫速度、耐用性和能效。

三星850 PRO固態(tài)硬盤順序讀寫速度最高可分別達到550 MB/s和520 MB/s，其而最大隨機讀寫速度則分別100,000IOPS和90,000IOPS。采用SATA III（6Gb/s）接口，達到固態(tài)硬盤的最高性能水準,更具有卓越的耐用性。

該固態(tài)硬盤還具有“動態(tài)散熱保護”功能，能在工作中保持適宜環(huán)境溫度，避免產(chǎn)品過熱造成的數(shù)據(jù)損失。

隨著越來越多的消費者開始使用固態(tài)硬盤，三星電子希望憑借此次推出的全新 V-NAND固態(tài)硬盤的卓越性能，進一步推進品牌固態(tài)硬盤市場的發(fā)展。

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