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東芝公司已經(jīng)表示將對位于日本三重縣四日市的Fab 5 NAND制造工廠進行擴建，而就在此前SanDisk也公布了類似的計劃。

龐大的四日市工廠顯然在各個建筑物之間建起了地下軌道，而每新建一棟建筑、地鐵站點也將相應(yīng)增加。

SanDisk與東芝還共同建立了一家閃存代工合資企業(yè)，其目的在于向下一代工藝技術(shù)過渡，也就是由目前的19納米制造工藝向10納米邁進。

此次擴建還將為NAND的更新?lián)Q代做好準(zhǔn)備，即通過垂直通道或者通孔實現(xiàn)各層連接，從而打造出3D芯片。這種方式能夠在繼續(xù)使用原有制造設(shè)備而無需引入新工藝技術(shù)的前提下，提升NAND芯片的容量限制。

一般說來，新的工藝技術(shù)意味著存儲單元更小、性能更低而且工作壽命更短。業(yè)界普遍認(rèn)為亞10納米級別NAND單元在性能及耐久性方面恐怕比較糟糕，而且目前尚未有合適的控制器技術(shù)來抵消這些負面因素。

但3D芯片設(shè)計思路的出現(xiàn)一方面讓NAND芯片擁有高于以往的存儲容量，同時提供可以接受的速度與耐用性，而產(chǎn)品成本也不至于面臨顯著提高。希望3D NAND能夠為亞10納米工藝帶來容量突破的全新方向。

東芝閃存Fab 5工廠效果圖

我們也期待包括現(xiàn)代、美光及三星等企業(yè)在內(nèi)的其它閃存代工運營商盡早公布自己的工廠擴建計劃。只要NAND還未出現(xiàn)供過于求的問題，他們就能夠繼續(xù)保持旺盛的盈利勢頭。