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MLC壽命變差的原理

現(xiàn)在不妨拋開顆粒發(fā)展的問題，只停留在還算成熟和穩(wěn)定的MLC上，看看不同時(shí)代的MLC顆粒有哪些變化。

在《固態(tài)硬盤發(fā)展之殤：漸行漸遠(yuǎn)的企業(yè)存儲(chǔ)方案》有一張圖是用來描述固態(tài)硬盤對(duì)于ECC校驗(yàn)依賴性的，不過其中的一些其他信息成為了本文的重要內(nèi)容。

在這張圖里除了顯示出SSD固態(tài)硬盤對(duì)于ECC校驗(yàn)越來越依賴之外，在橫軸上列舉了5種類型的存儲(chǔ)顆粒，分別是SLC、50納米工藝的MLC、 30納米工藝的MLC、20納米工藝的MLC以及TLC，中間的三種MLC的壽命又是什么情況呢?在圖中可以很清楚的看到，50納米MLC的壽命是 10000次，依賴于4bit ECC校驗(yàn)，30納米MLC的壽命是5000次，依賴于8bit ECC校驗(yàn)，而20納米MLC的寫入壽命是3000次，依賴15bit ECC校驗(yàn)。

也就是說同樣是MLC顆粒，隨著制造工藝的提升，晶體管也朝著越來越脆弱的方向發(fā)展了，如果不是ECC校驗(yàn)規(guī)格不斷提升，MLC的寫入壽命也隨著工藝進(jìn)步在以不可思議的速度衰退。

ECC校驗(yàn)會(huì)占用一定的性能，這部分要依賴于主控芯片，幸好主控芯片的性能提升幅度比較大，讓SSD廠商得以從軟件上彌補(bǔ)硬件的不足。不過工藝提升的道路是無休止的，最駭人聽聞的事情還是出現(xiàn)了。