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Violin vs Fusion :PCIe閃存卡的戰(zhàn)爭(zhēng)

王振 發(fā)表于:13年03月05日 13:22 [編譯] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]閃存陣列廠商Violin Memory將要為我們帶來(lái)名為Velocity的PCIe服務(wù)器閃存卡系列產(chǎn)品,而且它還打算加強(qiáng)同投資者東芝的關(guān)系,東芝有NAND芯片的優(yōu)勢(shì)。

閃存陣列廠商Violin Memory將要為我們帶來(lái)名為Velocity的PCIe服務(wù)器閃存卡系列產(chǎn)品,而且它還打算加強(qiáng)同投資者東芝的關(guān)系,東芝有NAND芯片的優(yōu)勢(shì)。

Violin Memory的3000和6000系列就采用了基于網(wǎng)絡(luò)的全閃存陣列技術(shù)。它們可以連接PCIe閃存卡,而且陣列可以被多個(gè)服務(wù)器共享。接下來(lái)Violin還會(huì)為這些陣列建立數(shù)據(jù)管理方式,可能會(huì)和賽門鐵克這樣的公司合作,與VMware簽署協(xié)議,在其陣列中裝入vSphere。

PCIe閃存卡市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者Fusion-io現(xiàn)在由其聯(lián)合創(chuàng)始人也是目前的CEO戴維·弗林管理,但是它的前CEO唐·巴西萊卻成為了Violin Memory的CEO?磥(lái)巴西萊打算在PCIe閃存卡市場(chǎng)與在Fusion-io的原來(lái)的團(tuán)隊(duì)來(lái)場(chǎng)對(duì)決啊。

Velocity閃存卡

新的Velocity閃存卡的原始容量有1.37TB,2.75TB,5.5TB和11TB幾種不同的版本,除了入門級(jí)的1.37TB為3美元/GB以外,其它的型號(hào)價(jià)格為6美元/GB。

我們計(jì)算出四種容量的產(chǎn)品總價(jià)格分別為4200美元,16900美元,33800美元和67500美元。Violin表示這是第三代閃存卡,這樣的價(jià)格加上它們的性能,性價(jià)比是Fusion-io和Virident的2到4倍。

巴西萊說(shuō):“我們相信我們有最高的性價(jià)比,還會(huì)有更高的密度和更高的性能。”

他還補(bǔ)充道,東芝和Violin Memory將不再采用多個(gè)供應(yīng)鏈,僅留下兩個(gè)或一個(gè)。他引用了一條關(guān)于EMC的留言,EMC采用了Virident-Seagate PCIe閃存卡,還采用了英特爾-美光的芯片——這就是4個(gè)供應(yīng)商了,可能會(huì)使成本提高。

Violin表示和東芝的合作能保證自己“在鑄造產(chǎn)品時(shí),在芯片和軟件兩個(gè)層面清晰了解,全面掌控供應(yīng)鏈,生產(chǎn),分銷和研發(fā)等方面的工作。”

Violin的閃存卡由NAND和DRAM組成,中間還有一個(gè)緩存層。主機(jī)服務(wù)器可以從中啟動(dòng):Violin將會(huì)擴(kuò)展產(chǎn)品,支持舊版的BIOS,這樣就可以增加能從閃存產(chǎn)品啟動(dòng)的服務(wù)器的可用范圍。

我們還了解到產(chǎn)品性能持久,明確讀寫比例為75:25,在混合使用4kb塊的情況下,小卡的IOPS為120000,2.75TB,5.5TB和11TB型號(hào)的IOPS則分別為180000,270000和540000。采用512塊時(shí),每個(gè)卡的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移率超過(guò)1000000 IOPS。

Virident有容量為550GB或1.1TB的Virident Standard FlashMax II閃存卡,采用70:30的讀寫比例,IOPS可達(dá)105000,但是Violin 1.37TB的Velocity就可以實(shí)現(xiàn)這樣的性能,還是采用75:25的讀寫比。容量為1.1TB和2.2TB的FlashMax II經(jīng)過(guò)優(yōu)化,在讀寫比為70:30的情況下,輸出IOPS可達(dá)220000。

1.1TB的產(chǎn)品比Violin的Velocity 1.37 TB和2.75TB的閃存卡速度快,但是與Velocity其它型號(hào)相比就慢了。

Violin宣稱自己的閃存卡產(chǎn)品散熱僅為其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品的三分之一,因此可以用在服務(wù)器插槽上。原來(lái)人們認(rèn)為這樣做是不合適的,擔(dān)心PCIe閃存卡會(huì)使系統(tǒng)過(guò)熱。

最初的24nm消費(fèi)級(jí)MLC NAND由東芝供應(yīng),現(xiàn)在要進(jìn)化到19nm了。

[責(zé)任編輯:黃輝]
大黃
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