IBM稱實現(xiàn)PCM內存技術突破 比閃存快100倍
木秀林 發(fā)表于：11年07月05日 09:34 [轉載] 網(wǎng)易科技
7月5日消息，據(jù)彭博社報道，IBM研究院的科學家實現(xiàn)了內存技術的突破，開發(fā)出多位相變存儲器(PCM)。這種技術可在單個存儲單元中長期穩(wěn)定存儲多數(shù)據(jù)位，速度比當前普遍使用的閃存快100倍，為開發(fā)低成本、速度更快、更耐用的內存鋪平了道路。
PCM結合了快速、耐用、非易失性和高密度等特點，可在未來五年里為企業(yè)IT和存儲系統(tǒng)帶來范式轉移。長期以來，科學家們一直在開發(fā)通用的、非易失性、性能遠優(yōu)于閃存的技術。這種技術的好處是允許電腦和服務器在瞬間啟動，并顯著提升IT系統(tǒng)的整體性能。不過這種技術的商業(yè)應用還很遙遠。
PCM的突出優(yōu)勢在于，可以比閃存快100倍的速度讀寫數(shù)據(jù)，不但可提高存儲容量，而且在電源關閉時也不會丟失數(shù)據(jù)。與閃存不同的是，PCM還很耐用，可承受至少1000萬次寫周期，而目前的企業(yè)級閃存只能達到3萬次寫周期，消費類閃存更是只有3000次。
IBM研究院蘇黎世研究中心的內存和探頭技術主管哈里斯·波齊迪斯(Haris Pozidis)表示：“隨著組織和消費者日益接受云計算模式和服務，因此大多數(shù)的數(shù)據(jù)存儲和處理都在云中進行，需要更強大和更高效，但價格合理的存儲技術”。
雖然IBM在內存技術上取得突破，但該公司不會很快改變這個世界。一方面IBM還未計劃自己開發(fā)任何相關產(chǎn)品，另一方面也未準備向第三方提供專利授權。預計在2016年前都不會出現(xiàn)PCM產(chǎn)品，屆時閃存技術的發(fā)展可能將PCM的優(yōu)勢消弭于無形。
