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    德國英飛凌科技在2003年12月8日于美國召開的“IEDM 2003”國際半導體制造技術會議上，發(fā)布了采用有機材料存儲元件的高密度非揮發(fā)性內存。存儲元件采用的有機材料是一種電荷轉換絡合物（Charge Transfer Complex）。通過施加一定的電壓，就會顯示出高電阻狀態(tài)和低電阻狀態(tài)。兩者的電阻比（Resistance Ratio）超過100倍。有機材料的具體名稱“由于關系到專利問題，因此不便公布”（英飛凌）。耐熱性可確保達到400℃左右。

    防串音的單元結構

    通過在存儲元件中使用有機材料，與包括層疊多層薄膜的MRAM在內的其他非揮發(fā)性內存相比，更容易簡化制造工藝。因為有機材料可利用旋鍍和真空氣鍍等簡單方法成膜。

    據(jù)英飛凌介紹，還易于實現(xiàn)內存單元的小型化設計。內存單元沒有使用晶體管、而是采用了交點結構的內存陣列，可將內存單元面積做成4F2（F表示最小加工尺寸）。結構上將有機材料夾在垂直相交的2根布線之間。

    以閃存EEPROM為代表的大容量內存，一般來說隨著密度的提高，內存單元之間的間隔縮小以后，由于相鄰單元的電位變化等因素就會導致自身單元電位發(fā)生變化，即容易產(chǎn)生串音現(xiàn)象。英飛凌同時公布了在此次采用有機材料的內存中用于減輕串音影響的內存單元結構。也就是說在作為存儲部分的有機材料四周包了一層絕緣膜。采用的結構是在布線之間的通孔中注入有機材料。此時的內存單元面積為6F2～8F2。據(jù)稱，無論是用絕緣膜包裹有機材料還是不包裹有機材料的結構，通過立體層疊內存單元，均可進一步提高密度。

    英飛凌此次試制出了面積為1μm2～250000μm2之間的單體內存單元，并公布了特性測試結果。據(jù)悉，在室溫條件下數(shù)據(jù)保持時間超過了250天。最少在1000萬次讀取次數(shù)以內可穩(wěn)定工作。報告稱寫入和刪除時的壓印試驗結果同樣良好。

    此外，該公司還使用AFM分析了內存單元進一步微細化的可能性。結果已經(jīng)證實，即便將內存單元面積和最小加工尺寸分別精細到40nm2和20nm以下，此次的有機材料仍具有開關特性。此時施加的電壓為+4V～+9V。