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標(biāo)簽:三星 第45頁

三星調(diào)查芯片生產(chǎn)線安全性 回應(yīng)致癌的報(bào)道

4月16日消息,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子稱,它將展開獨(dú)立調(diào)查以便對(duì)有關(guān)芯片生產(chǎn)中使用的有毒物質(zhì)也許引起某些員工患癌癥的報(bào)道做出回應(yīng)。 韓國的三星電子一直面臨一些社會(huì)組織和民權(quán)組織的壓力,要求它承擔(dān)這些事件的責(zé)任。在2000年年末之前一...

李健熙:三星向日企學(xué)習(xí) 加強(qiáng)與中國合作

4月8日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,三星電子董事長李健熙日前表示,三星還要向日本企業(yè)學(xué)習(xí),而與中國的合作也十分重要。 李健熙說:“在過去的幾年中,三星的表現(xiàn)可圈可點(diǎn),但仍需要向日本企業(yè)學(xué)習(xí)。在許多方面,韓國和日本企業(yè)可以相互合作。&r...

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三星全球率先推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片

據(jù)韓國《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道,世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體)模塊,并計(jì)劃從4月開始生產(chǎn)該產(chǎn)品。 40納米(10億分之1米)工藝是指將芯片內(nèi)部電路的線幅縮小為40納米。芯片電路線幅越薄,...

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三星推遲淘汰有害物質(zhì)遭環(huán)保組織抨擊

北京時(shí)間3月3日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,國際環(huán)保組織“綠色和平”(Greenpeace)周三對(duì)三星發(fā)起猛烈抨擊,指責(zé)三星食言,沒有恪守承諾淘汰電子產(chǎn)品中的有害物質(zhì)。 綠色和平表示,三星產(chǎn)品中含有的有害化學(xué)物質(zhì)溴化阻燃劑...

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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級(jí)工藝

繼Intel、美光上個(gè)月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后,韓國兩大存儲(chǔ)廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計(jì)劃。 海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片,這和Intel、美光首批投產(chǎn)的2...

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三星9億美元與Rambus達(dá)成許可授權(quán)協(xié)議

據(jù)國外媒體今日?qǐng)?bào)道,三星電子與內(nèi)存芯片制造商Rambus在上周二共同表示,已就雙方之間的所有爭議達(dá)成共識(shí),Rambus授權(quán)三星在所有半導(dǎo)體產(chǎn)品使用其專利。 根據(jù)協(xié)議,三星將首先支付Rambus 2億美元,此后5年每個(gè)季度支付2500萬美元。...

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三星推出更高容量閃存產(chǎn)品

三星最新推出一款64GB的MoviNAND產(chǎn)品和32GB的microSD產(chǎn)品。 MoviNAND是一款封裝了一個(gè)MMC接口、閃存和控制器的內(nèi)置NAND閃存產(chǎn)品。64GB的moviNAND厚度為1.4毫米,它是由16個(gè)32納米32G 2位多級(jí)...

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三星發(fā)布時(shí)尚、堅(jiān)固環(huán)保型系列外部硬盤驅(qū)動(dòng)器

全球消費(fèi)電子和信息技術(shù)領(lǐng)先廠商三星電子今日宣布推出外部硬盤驅(qū)動(dòng)器新款G系列,該系列以綠色環(huán)保為其設(shè)計(jì)理念。新款G系列外部硬盤驅(qū)動(dòng)器壯大了三星外部驅(qū)動(dòng)器1.8英寸、2.5英寸和3.5英寸硬盤的產(chǎn)品組合陣容,專注于年輕人市場。是尋找高密度,高可...

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三星發(fā)布首款降低備用電能消耗的外部硬盤驅(qū)動(dòng)

全球領(lǐng)先的數(shù)字消費(fèi)電子和信息技術(shù)廠商三星電子今天宣布將在11月份發(fā)布全新款的3.5英寸外部硬盤驅(qū)動(dòng),STORY Station的備用電池耗電量將在一瓦特以下。所降低的備用電池耗電量完全符合歐盟即將針對(duì)備用能源規(guī)范而頒布的能源消費(fèi)產(chǎn)品(Ene...

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