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標簽:DRAM工藝

半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)

“如今,DRAM技術(shù)的發(fā)展面臨很多和CPU相同的挑戰(zhàn),包括多重圖形化、鄰近效應(yīng)和存儲節(jié)點泄漏等。DRAM的開發(fā)需要精確的建模才能預(yù)測前述問題的影響并做相應(yīng)的優(yōu)化來避免良率受損。舉例來說,在確定位線 (BL) 到有源區(qū) (AA) 接觸面積時就...

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