站在2023年，快速回顧閃存發(fā)展歷程
閃存的發(fā)展史可以追溯到1967年，當(dāng)貝爾實(shí)驗(yàn)室的Dawon Kahng和Simon Sze共同發(fā)明了浮柵MOSFET，這是所有閃存，EEPROM和EPROM的基礎(chǔ)?。 1967年，貝爾實(shí)驗(yàn)室江大原（Dawon Kahng，韓裔）和施敏博士（...
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標(biāo)簽：EEPROM
朱 朋博
4Gbit閃存EEPROM 瑞薩、三星競(jìng)逐最小
日立制作所和日本瑞薩科技面向閃存EEPROM，日前共同開(kāi)發(fā)出了面積業(yè)界最小的內(nèi)存單元。并在2003年12月8日于美國(guó)召開(kāi)的“IEDM 2003”國(guó)際半導(dǎo)體制造技術(shù)會(huì)議上公布了技術(shù)詳情。使用90...
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