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標(biāo)簽:2016中國(guó)閃存峰會(huì)

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入閃存時(shí)代—2016中國(guó)閃存峰會(huì)在京召開(kāi)-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入閃存時(shí)代—2016中國(guó)閃存峰會(huì)在京召開(kāi)

一直以來(lái),存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)更迭關(guān)系重大,種種跡象表明,自1956年問(wèn)世以來(lái)長(zhǎng)期擔(dān)當(dāng)主要存儲(chǔ)介質(zhì)的磁盤(pán)技術(shù)正在被新的SSD(固態(tài)存儲(chǔ)盤(pán)),也就是閃存技術(shù)所取代,隨著3D NAND、NVMe、PCIe Switch、NVMe over F...