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半導體存儲器的發(fā)展歷程與當前挑戰(zhàn)-DOIT-數據產業(yè)媒體與服務平臺

半導體存儲器的發(fā)展歷程與當前挑戰(zhàn)

“如今,DRAM技術的發(fā)展面臨很多和CPU相同的挑戰(zhàn),包括多重圖形化、鄰近效應和存儲節(jié)點泄漏等。DRAM的開發(fā)需要精確的建模才能預測前述問題的影響并做相應的優(yōu)化來避免良率受損。舉例來說,在確定位線 (BL) 到有源區(qū) (AA) 接觸面積時就...

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