半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程與當(dāng)前挑戰(zhàn)
“如今，DRAM技術(shù)的發(fā)展面臨很多和CPU相同的挑戰(zhàn)，包括多重圖形化、鄰近效應(yīng)和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)泄漏等。DRAM的開(kāi)發(fā)需要精確的建模才能預(yù)測(cè)前述問(wèn)題的影響并做相應(yīng)的優(yōu)化來(lái)避免良率受損。舉例來(lái)說(shuō)，在確定位線 (BL) 到有源區(qū) (AA) 接觸面積時(shí)就...
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