根據(jù)官方文檔介紹，Everest采用了ARM雙核架構(gòu)，主頻最高到275MHz，每個(gè)核擁有196KB SRAM(其中128KB用于存儲(chǔ)固件，64KB用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù))，擁有512MB DDR2/3 緩存(主頻為400MHz)，最多支持8通道1TB SLC或MLC閃存(異步、ONFi或觸發(fā)模式)，支持TRIM指以及全屏磨損平衡70位 BCH ECC校驗(yàn)。性能方面，連續(xù)讀/寫(xiě)最高可達(dá)520MB/s /410MB/s，4KB隨機(jī)讀/寫(xiě)吞吐量最高可達(dá)30000/22000(IOPS)。

OCZ Octane系列各規(guī)格參數(shù)表

從上表可得，OCZ Octane包括128GB、256GB、512GB以及1TB四個(gè)不容量的產(chǎn)品，且隨著容量的上升，其寫(xiě)性能呈上升趨勢(shì)。這點(diǎn)與許多采用Marvell主控的SSD產(chǎn)品比較相似。

送測(cè)的是512GB版本的OCZ Octane。它配置的是Indilinx Everest系列的IDX300主控，搭配了16顆來(lái)自IMFT的MLC NAND閃存，主控緩存為同樣來(lái)自的鎂光的512MB DRAM。

為了更加客觀的測(cè)試這款SSD實(shí)際性能，特加入了同級(jí)別的英睿達(dá)Crucial M4 512GB進(jìn)行對(duì)比測(cè)試。

連續(xù)讀寫(xiě)測(cè)試

首先，使用IOMeter對(duì)OCZ Octane和英睿達(dá)Crucial M4進(jìn)行連續(xù)讀寫(xiě)性能進(jìn)測(cè)試。測(cè)試項(xiàng)目包括2MB、4KB文件，并對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。

連續(xù)讀寫(xiě)性能對(duì)比圖

從對(duì)比圖我們得知，OCZ Octane的連續(xù)讀寫(xiě)性能表現(xiàn)十分不錯(cuò)，其中連續(xù)讀速度最多達(dá)到500MB/s與M4基本相同，而寫(xiě)性能更是達(dá)到376.3MB/s遙遙領(lǐng)先于M4的258.1MB/s。

隨機(jī)讀取吞吐量

繼續(xù)使用IOMeter對(duì)OCZ Octane和英睿達(dá)Crucial M4進(jìn)行隨機(jī)小文件讀寫(xiě)性能進(jìn)測(cè)試。測(cè)試項(xiàng)目為使用4KB文件進(jìn)行全盤讀寫(xiě)(同時(shí)訪問(wèn)的隊(duì)列深度由1到32，其中1到4為正常應(yīng)用范圍)，并對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。

隨機(jī)4KB讀性能對(duì)比圖

從對(duì)比圖中，我們看到在隊(duì)列深度為1時(shí)Octane不過(guò)在隨機(jī)讀速度還是吞吐量方面都要好于M4，但是隨著隊(duì)列深度的增加，M4在這兩方面的都超過(guò)了Octane并一直保持領(lǐng)先。

隨機(jī)4KB寫(xiě)性能對(duì)比圖

從對(duì)比圖中，在隨機(jī)4KB寫(xiě)性能上M4擁有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，吞吐量最高可達(dá)60000IOPS，而Octane最高只有20000IOPS。

接下來(lái)要進(jìn)行的是日常應(yīng)用測(cè)試，測(cè)試項(xiàng)目包括文件傳輸測(cè)試以及應(yīng)用程序測(cè)試。

文件傳輸測(cè)試

為了模擬日常應(yīng)用的各種不同情況，采用不到規(guī)格的文件組成的測(cè)試組進(jìn)行測(cè)試。包括超大文件平均大小731.17MB，大文件平均大小5.2MB，中等文件平均大小8000.88KB，小文件平均大小48.78KB。測(cè)試中使用RamDisk作為目標(biāo)或源地址。并使用了Robocopy其相關(guān)軟件來(lái)保證測(cè)試的連續(xù)性。

文件讀寫(xiě)測(cè)試對(duì)比圖

由圖得，兩款固態(tài)硬盤在文件讀性能表現(xiàn)比較相似，其中Octane在小文件讀速度上有一定優(yōu)勢(shì)，而M4在整體上領(lǐng)先。寫(xiě)文件操作上，Octane的整體表現(xiàn)優(yōu)于M4，小文件寫(xiě)速度甚至達(dá)到了后者的二倍。

應(yīng)用程序測(cè)試

為了測(cè)試SSD的真實(shí)使用表現(xiàn)，下面將在固態(tài)硬盤上安裝操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件，并進(jìn)行啟動(dòng)和加載速度測(cè)試。速度速度測(cè)試項(xiàng)目包括：Windows 7啟動(dòng)測(cè)試，3D Studio Max 2011啟動(dòng)測(cè)試，3D Studio Max 2011、Visual Studio 2010、Bibble Pro 5啟動(dòng)測(cè)試，Visual Studio 2010中Ogre源代碼加載測(cè)試， Bibble 5 Pro下48 RAW文件圖標(biāo)加載測(cè)試，戰(zhàn)地3加載測(cè)試以及戰(zhàn)地3一級(jí)關(guān)卡加載測(cè)試。(與前面的測(cè)試不同的是這項(xiàng)測(cè)試中，處理器將超頻到4.5GHz。)為了使測(cè)試對(duì)比更加豐富，這里加入了日立7K3000進(jìn)行對(duì)比。

應(yīng)用程序啟動(dòng)/加載時(shí)間對(duì)比圖

不出意料，裝在Octane和M4上的Windows 啟動(dòng)時(shí)間都都達(dá)到了驚人的10秒內(nèi)，其中M4以9.3秒稍稍領(lǐng)先。

應(yīng)用程序加載測(cè)試中，M4依然以小幅優(yōu)勢(shì)領(lǐng)先于Octane。比如從加載3d Studio Max到后面的3ds+VS+Bibble組合，M4僅增加了0.1秒，Octane卻在原基礎(chǔ)上增加了0.5秒，但相比機(jī)械硬盤還是有巨大優(yōu)勢(shì)的(同等情況下，日立7K3000的加載時(shí)間增加了22.5秒 )，說(shuō)明在加載多任務(wù)時(shí)SSD的優(yōu)勢(shì)還是非常明顯的。

在Ogre源代碼重加載測(cè)試中，Octane稍稍領(lǐng)先于M4，但是在后面的測(cè)試中M4又奪回了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。這里需要注意的是，與SSD相比機(jī)械硬盤在游戲加載速度方面的差距并沒(méi)有原先那么大。這說(shuō)明，為了提高游戲加載速度而購(gòu)置SSD的做法不一定值得!

正如我曾多次提到的那樣，隨著使用時(shí)間越來(lái)越長(zhǎng)，固態(tài)硬盤的性能會(huì)從出廠峰值慢慢下降。產(chǎn)生這一現(xiàn)象的主要原因是：普通機(jī)械硬盤進(jìn)行讀寫(xiě)和復(fù)寫(xiě)操作時(shí)，數(shù)據(jù)包大小為4KB，而SSD不存在覆蓋寫(xiě)入概念，如果無(wú)效數(shù)據(jù)所占的page需要更新為新的有效數(shù)據(jù)，必須進(jìn)行擦寫(xiě)，恢復(fù)到充電狀態(tài)，但是擦寫(xiě)最小單位是BLOCK,128個(gè)PAGE，這實(shí)際上就把從系統(tǒng)寫(xiě)入到SSD和SSD寫(xiě)入到FLASH存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)量大大提高了，造成延遲加大和性能劣化。如何挺高SSD寫(xiě)效率和減小寫(xiě)放大就是解決這個(gè)問(wèn)題的關(guān)鍵所在，而現(xiàn)有的解決方法包括TRIM指令和垃圾回收機(jī)制。下面我們就將通過(guò)測(cè)試來(lái)檢驗(yàn)Octane 對(duì)TRIM指令的支持程度及其主控的垃圾回收效率。

我們的測(cè)試將由以下幾個(gè)階段組成。1.用數(shù)據(jù)填滿硬盤。2.對(duì)硬盤進(jìn)行20分鐘隨機(jī)寫(xiě)。3.5分鐘連續(xù)寫(xiě)。4.釋放8GB空間并激活TRIM指令。 5.5分鐘連續(xù)寫(xiě)。6.全盤安全擦除。7.再次用數(shù)據(jù)填滿硬盤。8.5分鐘寫(xiě)連續(xù)寫(xiě)。9.20分鐘隨機(jī)寫(xiě)操作。10.釋放8GB空間并激活TRIM指令。 11.20分鐘隨機(jī)寫(xiě)操作。

連續(xù)寫(xiě)性能保持情況

需要注意的是，這里使用的是128GB版本的Octane與M4。

連續(xù)寫(xiě)性能持續(xù)性對(duì)比圖

請(qǐng)注意，之所以在滿盤狀況下還可以進(jìn)行寫(xiě)操作，是因?yàn)镾SD本身有預(yù)留空間。由圖可得，在硬盤被填滿后在進(jìn)行連續(xù)寫(xiě)操作時(shí)M4的性能并沒(méi)有出現(xiàn)明顯波動(dòng)，而在進(jìn)行隨機(jī)寫(xiě)操作后，其性能出現(xiàn)了一定的下降，但在隨著測(cè)試的進(jìn)行其性能也在慢慢恢復(fù)，直到TRIM操作時(shí)恢復(fù)到初始狀態(tài)。而對(duì)于Octane而言，其整體寫(xiě)性能低于M4，滿盤情況下寫(xiě)性能保持上相對(duì)M4來(lái)說(shuō)更平穩(wěn)，但是性能恢復(fù)情況不如M4那么明顯，只有在激活TRIM指令后性能才得到了比較完全的恢復(fù)?？磥?lái)Octane寫(xiě)性能保持機(jī)制更依賴系統(tǒng)自帶的TRIM指令。

隨機(jī)寫(xiě)性能保持情況

隨機(jī)寫(xiě)性能持續(xù)性對(duì)比圖

從圖中得出，Crucial M4隨機(jī)寫(xiě)性能在從空盤到滿盤這一階段從最高的76MB/s下降到穩(wěn)定的30MB/s，而釋放8GB并激活TRIM指令后其隨機(jī)寫(xiě)性能曾一度上升到 60MB/s并最終穩(wěn)定在50MB/s。而Octane方面，隨機(jī)寫(xiě)性能比較低初始為24MB/s，到全盤填滿時(shí)下降到10MB/s。進(jìn)行TRIM指令后，一度恢復(fù)至24MB/s，最終穩(wěn)定在15MB/s。

雖然兩款產(chǎn)品在這項(xiàng)測(cè)試中的表現(xiàn)都不是十分完美，但對(duì)于普通用戶來(lái)說(shuō)，這樣的表現(xiàn)足以滿足我們的日常使用(畢竟上面測(cè)試的是極端情況)。同時(shí)在整個(gè) 測(cè)試中M4的表現(xiàn)一直由于Octane，說(shuō)明Octane主控固件還有很大的提升空間。

功耗測(cè)試

最后，我們將進(jìn)行功耗測(cè)試。測(cè)試項(xiàng)目包括待機(jī)功耗和工作功耗(連續(xù)讀或連續(xù)寫(xiě)操作進(jìn)行時(shí))。

功耗測(cè)試對(duì)比圖

從以前的測(cè)試中我們發(fā)現(xiàn)SSD的功耗與其容量有直接關(guān)系。上面的測(cè)試結(jié)果表明，兩款產(chǎn)品的寫(xiě)操作功耗均在4.5W左右，且由于Octane的寫(xiě)性能更高，其效率也相對(duì)較高，讀操作的情況與寫(xiě)操作基本相同。但是在待機(jī)時(shí)M4的表現(xiàn)要好于Octane。

總結(jié)：

經(jīng)歷了從與Indilinx的合作到與SandForce的合作再到最終收購(gòu)Indilinx，OCZ幾度沉浮，終于能掌握SSD的最底層設(shè)計(jì)。與 Crucial、Intel和三星相比差距僅存在于閃存供應(yīng)環(huán)節(jié)，相信Hynix或Toshiba應(yīng)該就OCZ的下一個(gè)收購(gòu)目標(biāo)。

在前幾代SSD產(chǎn)品上，OCZ走了不少?gòu)澛?，比如閃存的更新?lián)Q代(Vertex 2s的25nm閃存問(wèn)題)、閃存容量問(wèn)題(白片風(fēng)波)以及主控問(wèn)題(SandForce 2000系列主控藍(lán)屏問(wèn)題)。雖然主控問(wèn)題的主要責(zé)任不應(yīng)只由OCZ承擔(dān)，但OCZ還是因此失去了不少終端用戶，留下了不好的口碑。所以O(shè)CZ寄希望自主主控能挽回用戶。

客觀的說(shuō)，采用Indilinx Everest主控的OCZ Octane足以躋身高性能SSD(SATA 6Gbps 同步MLC閃存)的行列，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手包括采用Marvell主控SSD(Corsair Performance Pro, Crucial M4, Intel SSD 511)，三星主控SSD(三星PM830)以及SandForce SF-2000系列主控SSD(Corsair Force 3 GT, OCZ Vertex 3, Kingston HyperX)。

在本次測(cè)評(píng)中，雖然Octane 512GB規(guī)格的寫(xiě)性能十分強(qiáng)悍，但是其它方面的表現(xiàn)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手沒(méi)有明顯的區(qū)別(Octane與M4的對(duì)比測(cè)試中不占優(yōu)勢(shì)，甚至在大多數(shù)項(xiàng)目中處于下風(fēng))，所以不足以從競(jìng)爭(zhēng)中脫引而出。但是這并不是最重要的。因?yàn)閷?duì)于消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，影響他們最終選擇的是每GB售價(jià)和產(chǎn)品口碑(產(chǎn)品穩(wěn)定性)?？磥?lái)OCZ還有很長(zhǎng)的路要走……

wangzhen