閃存將成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的“王者”

閃存以破竹之勢(shì)迅猛發(fā)展，而支撐其降低成本的制造技術(shù)微細(xì)化的發(fā)展前景卻并不明朗。哈拉里指出，目前的最尖端品采用19nm工藝前后的制造技術(shù)，而今后要想微細(xì)化至10nm工藝，就必須解決以下課題：浮游柵中能夠存在的電子數(shù)量越來(lái)越少、隧道絕緣膜厚度要降至7nm以下、使用EUV曝光、需要投入 100億美元資金的投資回報(bào)(ROI)問(wèn)題等。

關(guān)于解決這些課題的方法，哈拉里提到了向市場(chǎng)投放在系統(tǒng)側(cè)進(jìn)行輔助從而放寬了標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存，以及使三維(3D)單元積層構(gòu)造的可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)實(shí)用化等。哈拉里表示，3D-ReRAM“可能會(huì)打破現(xiàn)有的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系”。

哈拉里指出，投放這些使能技術(shù)(Enabling Technology)后，閃存的發(fā)展將會(huì)勢(shì)不可擋(Unstoppable)。而且，今后會(huì)不斷侵食其他存儲(chǔ)介質(zhì)。比如侵食DRAM。哈拉里預(yù)測(cè)，“截至目前，NAND閃存的成本已經(jīng)降至DRAM的1/10左右。今后這個(gè)差距也無(wú)法消除。設(shè)備廠商不能忽視這個(gè)差距。

目前的NAND閃存架構(gòu)已優(yōu)化至串行訪問(wèn)(Serial Access)，2020年前后將出現(xiàn)采用新型架構(gòu)的NAND閃存。新型NAND閃存將配置在微處理器的旁邊，與DRAM共存”。另外，關(guān)于與硬盤之間的競(jìng)爭(zhēng)，哈拉里表示“客戶端基本上由閃存獨(dú)霸一方，目前閃存正在不斷地進(jìn)軍服務(wù)器領(lǐng)域。單從之前的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，閃存處于有利地位。最終會(huì)勝過(guò)硬盤”。

哈拉里在結(jié)論中表示，“閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)幅度將超出各位的預(yù)期。2020年之前閃存在市場(chǎng)規(guī)模上將成為存儲(chǔ)領(lǐng)域的‘王者’。

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