DDR3向DDR4的過渡計劃

DDR3和DDR4 DRAM的主要規(guī)格

不過全球最大存儲芯片廠商三星到底不會讓我們失望，這次三星和另一家韓國半導體大廠Hynix(海力士半導體)就在ISSCC 2012上拿出了真正的DDR4內存芯片樣品。三星電子的樣品基于30nm CMOS工藝和3層金屬配線技術制造，單顆容量為4Gbit，設定運行電壓為1.2V。實際運行的電壓為1.14V，測定傳輸速度為 3.3Gbps(DDR4-3300)。當然，在三星20nm半導體生產線已經(jīng)投入運行的情況下，DDR4 DRAM未來肯定會使用更先進的20nm制程工藝，頻率將會比等效3300MHz更高。

三星4Gbit DDR4 DRAM的核心照片和主要規(guī)格

三星DDR4 DRAM的數(shù)據(jù)測定結果

而Hynix拿出的顆粒樣品容量為2Gbit，制造工藝基于38nm CMOS和3層金屬配線技術，設定運行電壓同樣為1.2V。實際運行頻率為2.4Gbps(DDR4-2400)，考慮到制造工藝為38nm也算是個不錯的數(shù)字。而和DDR3 DRAM同樣運行于2133Mbps的帶寬時，新的DDR4內存顆粒工作電壓僅為1.0V，消耗的電能對比DDR3可降低8成。

Hynix 2Gbit DDR4 DRAM的核心照片和主要規(guī)格

Hynix DDR4樣品與DDR3的比較測試結果

速度更快功耗更小的LPDDR3芯片

從整體上看，LPDDR3 DRAM就是LPDDR2的高速版。和PC上DDR2/DDR3內存的區(qū)別類似，數(shù)據(jù)傳輸速度上LPDDR3可達LPDDR2的2倍，預計LPDDR3將于2013年廣泛應用于移動設備。

JEDEC為LPDDR3 DRAM設定的主要設計目標

LPDDR3內存的架構

ISSCC 2012上三星電子同樣發(fā)表了它們的LPDDR3樣品：單顆容量為4Gbit，基于30nm制造工藝，設定運行電壓為1.2V，IO界面為32bit。最 高可在85度環(huán)境中工作，電壓最低可至1.05V，此時運行速度可達1.6Gbps，功耗低至406mW。32bit的整個芯片可達到 6.4GByte/s的傳輸速度。

三星4Gbit LPDDR3的核心照片

三星LPDDR3的速度測試結果

除此之外Hynix還拿出了它們在目前廣泛應用的DDR3 DRAM上的最新研究成果。新的4Gbit DDR3顆粒采用23nm CMOS工藝和2層銅+1層鋁配線制造，硅片面積僅為30.9mm2，設定運行電壓為1.2V相當于超低電壓版的DDR3U水平。23nm工藝的應用使得制造成本方面的競爭力也有很大提高。

Hynix新DDR3的核心照片

Hynix新DDR3樣品的主要規(guī)格

比較可惜的是，一貫在ISSCC上沉寂的美光(Micron)此次仍然沒有動作，而日本爾必達(Elpida)由于受困于債務等因素同樣沒有出席，使得ISSCC這兩年成為了三星和Hynix的“二人轉”。

wangzhen