在IEDM 2022,英特爾的組件研究團隊展示了其在三個關鍵領域的創(chuàng)新進展,以實現(xiàn)摩爾定律的延續(xù):新的3D混合鍵合(hybrid bonding)封裝技術,無縫集成芯粒;超薄2D材料,可在單個芯片上集成更多晶體管;能效和存儲的新可能,以實現(xiàn)更高性能的計算。

英特爾組件研究團隊所研發(fā)的新材料和工藝模糊了封裝和芯片制造之間的界限。英特爾展示了將摩爾定律推進到在單個封裝中集成一萬億個晶體管的關鍵步驟,包括可將互聯(lián)密度再提升10倍的先進封裝技術,實現(xiàn)了準單片(quasi-monolithic)芯片。英特爾還通過材料創(chuàng)新找到了可行的設計選擇,使用厚度僅三個原子的新型材料,從而超越RibbonFET,推動晶體管尺寸的進一步縮小。

英特爾通過下一代3D封裝技術實現(xiàn)準單片芯片:

英特爾探索通過超薄“2D”材料,在單個芯片上集成更多晶體管:

為了實現(xiàn)更高性能的計算,英特爾帶來了能效和存儲的新可能:

英特爾繼續(xù)引入新的物理學概念,制造用于量子計算的性能更強的量子位:

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songjy

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