過(guò)去幾年里，兩家就一直在研發(fā)10納米內(nèi)的制造工藝較勁，目前，以三星公告2025年將生產(chǎn)2納米工藝芯片領(lǐng)先。三星目前正忙于3納米工藝節(jié)點(diǎn)芯片的量產(chǎn)，該工藝節(jié)點(diǎn)基于新一代晶體管結(jié)構(gòu)，稱為全環(huán)柵極 (GAA)，這個(gè)制造技術(shù)是將大量MOS晶體管集成到一個(gè)尺寸更小的芯片上，三星將其稱為多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MBCFET)。

而關(guān)于臺(tái)積電的傳聞報(bào)道稱，其計(jì)劃在6月將開發(fā)其3納米級(jí)節(jié)點(diǎn)的團(tuán)隊(duì)重新分配去開發(fā)1.4 納米級(jí)制程工藝。臺(tái)積電會(huì)在6月中旬舉辦技術(shù)研討會(huì)，屆時(shí)可能會(huì)簡(jiǎn)要介紹一些會(huì)接替2納米制造工藝的技術(shù)細(xì)節(jié)。

標(biāo)準(zhǔn)制程工藝設(shè)計(jì)流程包括尋路、研發(fā)階段。尋路涉及如對(duì)材料和物理的基本探索等。到目前為止，臺(tái)積電2納米工藝的尋路工作可能已經(jīng)結(jié)束，因此專門從事基礎(chǔ)物理和化學(xué)的適當(dāng)團(tuán)隊(duì)正在研究N2的后續(xù)產(chǎn)品，可能被稱為1.4納米技術(shù)。

臺(tái)積電的2納米工藝同樣依賴于全環(huán)柵極，會(huì)使用具有0.33數(shù)值孔徑 (0.33 NA) 的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。1.4納米工藝可能會(huì)保留全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，目前不明確會(huì)否轉(zhuǎn)向0.55NA的EUV工具。

文章出處：https://www.tomshardware.com/news/tsmc-to-initiate-14nm-process-technology-rd

https://www.edn.com/how-real-is-tsmcs-bid-for-conversion-to-1-4-nm-process-node/

崔歡歡