提問：HBM 相比DRAM在帶寬上的優(yōu)勢
回答：HBM 在總線帶寬和處理速度上優(yōu)勢最為明顯。從第一代以來，HBM標(biāo)準(zhǔn)支持1024比特位總線帶寬，GDDR僅支持32位，標(biāo)準(zhǔn)HBM2E信號速率為3.6 Gb (Gb/sec/pin)，每個堆棧的帶寬最高可達每秒460 GB。在HBM3開發(fā)階段，期望實現(xiàn)高達6.4Gb/sec 的快速處理速度——遠遠超出許多預(yù)期。
與容量情況不同，三星的 HBM2E Flashbolt 設(shè)備實際帶寬已經(jīng)超出了標(biāo)準(zhǔn)。相比之下，GDDR第六代DRAM標(biāo)準(zhǔn)指定數(shù)據(jù)速率為16Gb/秒。對于一個有4096比特位內(nèi)存接口的處理器，如 GPU和FPGA，八個 Flashbolt 堆棧組合可以提供128GB的??內(nèi)存和3.68TB/秒的峰值帶寬——遠遠超過傳統(tǒng)的DRAM。
提問：HBM會支持哪些CPU？至強？AMD？ARM？RISC-V？
回答：三星正在與各類CPU開發(fā)人員合作。對于ARM，富士通正在供應(yīng)，至強/RISC-V目前正在開發(fā)中。
最后
三星在DDR5和DDR6內(nèi)存方面非常活躍，還大力開發(fā)其HBM和HBM-PIM 堆疊存儲技術(shù)產(chǎn)品，并且正在考慮支持X86、Arm 和RISC-V處理器。HBM-Arm和HBM-RISC-V將與至強-HBM系統(tǒng)形成有趣的競爭關(guān)系，尤其在具有低延遲、數(shù)據(jù)密集型處理需求的邊緣環(huán)境里。
