Intel表示，其Intel 4工藝將全面采用EUV微影；該公司將繼續(xù)優(yōu)化FinFET技術(shù)至Intel 3，從20A工藝開始則將轉(zhuǎn)換至GAA晶體管架構(gòu)。而盡管業(yè)界幾乎所有開發(fā)先進工藝節(jié)點的廠商都在期待由FinFET轉(zhuǎn)向GAA，Intel自家的GAA技術(shù)被命名為RibbonFET，如下圖所示。
此外Intel也提及了新互連技術(shù)PowerVia (參考下圖)。該公司表示，傳統(tǒng)上互連導(dǎo)線是放置于晶體管頂端，雖然一直以來運作良好，但在新架構(gòu)更小尺寸上，其效率也隨之降低。PowerVia是將互連放置于芯片下方，計劃于Intel 3工藝開始試驗，預(yù)計將于Intel 20A準(zhǔn)備好商業(yè)化。
Intel表示正與Qualcomm合作，以20A工藝開發(fā)主流智能手機芯片平臺；如果合作一切順利，Qualcomm的背書會發(fā)揮重要作用。Intel已經(jīng)嘗試在智能手機市場站穩(wěn)腳跟好一段時間，但成效不彰。
而為了表明對發(fā)展制造技術(shù)的承諾，Intel也宣布正與設(shè)備業(yè)者ASML合作，定義、建立與部署更精練的高數(shù)值孔徑(high-NA) EUV技術(shù)，并聲稱該公司將會是業(yè)界首家量產(chǎn)高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的業(yè)者，其該系統(tǒng)將在18A工藝節(jié)點為RibbonFET的改善做出貢獻。
多年來，Intel一直標(biāo)榜自家在新一代封裝技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位，而封裝技術(shù)對于半導(dǎo)體組件性能的進一步提升扮演關(guān)鍵角色。該公司表示，其IFS部門已經(jīng)與云端巨擘AWS簽署合作協(xié)議，后者將成為其先進封裝技術(shù)的第一位客戶。
節(jié)點命名方式
歷史上，最小晶體管柵極與工藝節(jié)點命名之間通常存在某種程度關(guān)系；但是當(dāng)這兩者之間的關(guān)系完全被打破，就會產(chǎn)生一些爭議。有人說，那是發(fā)生在大約2010年問世的32納米節(jié)點，而Intel則表示應(yīng)該要追溯至1997年，當(dāng)時半導(dǎo)體工藝微縮至0.18微米。無論最小晶體管柵極與節(jié)點命名之間的距離是何時越拉越遠，現(xiàn)在兩者之間已經(jīng)沒有關(guān)系。
市場研究機構(gòu)Tirias Research分析師Keven Krewell表示，這也就是為何“工藝節(jié)點數(shù)字的重設(shè)已經(jīng)逾時；Intel一直在做14納米+++的東西，但這對Intel以外的其他人來說是沒有意義的。臺積電則是創(chuàng)建了像是8納米這樣的中間節(jié)點，而這意味著很難將晶體管與晶體管進行詳細的比較。”
針對Intel在接下來5個節(jié)點的規(guī)劃，Krewell則表示：“該技術(shù)藍圖相當(dāng)激進，但Intel感覺他們已經(jīng)準(zhǔn)備好迎接這樣的大躍進；每一個新節(jié)點都綁了特定產(chǎn)品，所以Intel的表現(xiàn)如何將會是清晰可見的。而Qualcomm采用20A工藝還是未來幾年之后的事，該公司愿意公開承認令人印象深刻；”他也指出，封裝技術(shù)是很重要的一個訊息，特別是Intel贏得AWS這家客戶。
在Intel于美國時間7月26日下午舉行的該場記者會上，Gelsinger在接受媒體提問時，被問到了AWS與Qualcomm以外的其他客戶。對此，他表示與Qualcomm的合作證明IFS客戶將會同步取得與Intel以內(nèi)部使用為目的所開發(fā)、最先進的制造技術(shù)；而在Qualcomm之外，該公司也正在與其他客戶洽談，但不方便透露任何名稱。
Gelsinger僅透露，那些客戶有的來自工業(yè)領(lǐng)域，有的來自汽車領(lǐng)域，也有的是需要代工伙伴的半導(dǎo)體業(yè)者──包括一些在傳統(tǒng)上是競爭對手的廠商；他充滿熱情地表示：“IFS已經(jīng)投入競賽！”
