2018年，英特爾率先在市場上推出了第一代的QLC SSD，2021年，最新一代的NAND達到了144層。目前，英特爾QLC SSD的用戶是以互聯(lián)網(wǎng)公司為主，在互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心的軟件定義存儲方案、以及CDN場景中有較多應(yīng)用。
英特爾NAND產(chǎn)品與解決方案事業(yè)部中國區(qū)銷售總監(jiān)倪錦峰表示，從MLC切換到TLC過程非?？?因為TLC提供了與MLC相近的耐久性表現(xiàn)，性能表現(xiàn)甚至比MLC還強。然而，QLC與TLC的壽命和性能差異就比較明顯，替換難度相對更高一些。
倪錦峰還表示，用戶想把QLC用好得需要比較復雜的優(yōu)化工作，大的互聯(lián)網(wǎng)公司會自主進行優(yōu)化，但由于各個領(lǐng)域用戶技術(shù)實力不同，客觀上QLC在不同行業(yè)進一步落地的情況也不盡相同。
不過，倪錦峰對于QLC的發(fā)展持樂觀態(tài)度。預計到2025年，QLC有望占15%—20%的份額，英特爾在QLC領(lǐng)域走的比較靠前，未來還會推出更多的QLC相關(guān)的企業(yè)級產(chǎn)品。
在倪錦峰的預期中，他希望通過架構(gòu)方案層面的創(chuàng)新，關(guān)注包括軟件存儲在內(nèi)的各種新技術(shù)趨勢，讓QLC能夠盡快替代一部分TLC，甚至能夠替代一部分的磁盤。
除了產(chǎn)品方案本身以外，倪錦峰還談到了NAND SSD對于碳中和的意義，SSD在空間成本、設(shè)備成本以及散熱維護成本方面的優(yōu)勢也將有助于QLC技術(shù)的加速發(fā)展，這也算是對于NAND SSD市場發(fā)展的一個利好消息。
第二點，更有發(fā)展前景的NAND技術(shù)路線
英特爾在NAND技術(shù)路線上有許多獨到之處，畢竟是在NAND技術(shù)上有十幾年的積累了。
英特爾在NAND技術(shù)上選擇的技術(shù)路線叫垂直浮動柵極技術(shù)，它通過隧道氧化層來控制電子，通過離散單元隔離將跨單元干擾的風險降至最低，而且，它能將垂直單元中的電子數(shù)量提高大約6倍，與電荷捕獲NAND浮柵技術(shù)相比，電荷控制能力大大提高，實現(xiàn)了更高的可靠性。
與替換柵極的方案相比，浮動柵極方案有更好的編程/擦除閾值電壓窗口，浮動柵極的單元之間有更好的電荷隔離/保留能力，浮動柵極的密度性能更高，更適合用在大容量存儲盤上。
與其他方案相比，英特爾的NAND技術(shù)的發(fā)展前景更大，更能滿足企業(yè)用戶不斷增長的數(shù)據(jù)需求，英特爾的方案能在保證可靠性的基礎(chǔ)上，將容量做的更大。
第三點，應(yīng)用普及，顛覆用戶對于QLC的認識
許多人提起QLC都覺得它的寫入壽命會比較短，但在英特爾手里，憑借NAND介質(zhì)層次上的創(chuàng)新，在一些產(chǎn)品中大幅提升了QLC NAND固態(tài)盤的耐久性，耐久性表現(xiàn)是同類產(chǎn)品的4倍。
英特爾給出了這樣一個數(shù)據(jù)，從實際應(yīng)用來看，只有15%的固態(tài)盤額定壽命用于大規(guī)模部署，還遠遠沒到需要擔心固態(tài)盤額定壽命的時候。
從性能方面來看，QLC NANDSSD的讀取帶寬能達到TLC NAND的水平，時延和服務(wù)質(zhì)量方面，與TLC NAND SSD表現(xiàn)也幾乎沒有差別。
從技術(shù)成熟度來看，目前英特爾在QLCNAND上已經(jīng)有了較多積累，目前QLC NAND已經(jīng)進化到了第三代，在應(yīng)用場景方面也在不斷延展。
大致可以看到，經(jīng)過優(yōu)化的QLCNAND SSD在壽命和性能表現(xiàn)上與TLC非常接近，這為QLC在更多場景中的應(yīng)用打下了基礎(chǔ)。
結(jié)語
以上就是英特爾在企業(yè)級NAND產(chǎn)品線上的發(fā)力重點。從QLC的應(yīng)用和普及上來講，短時間內(nèi)，應(yīng)該還是在大型互聯(lián)網(wǎng)公司中目前應(yīng)用的比較多，它需要服務(wù)商對QLC有足夠的了解，需要針對特定場景來選用，需要做一些針對性的優(yōu)化，應(yīng)用門檻是有的，但收效也是可預期的。
