來源：SK海力士
SK海力士4D NAND結合了3D CTF(電荷捕獲閃存)設計、PUC(Peri. Under Cell)技術，2019年送樣第一代96層4D NAND，同年次月又推出了第二代128層4D NAND，本次成功研發(fā)出的176層NAND是第三代4D NAND產品。
來源：SK海力士
2020年SK海力士主要是擴大96層4D NAND在市場上的普及，同時不斷提高128層4D NAND生產比重，并推出基于128層4D NAND的Gold P31和Platinum P31系列消費類SSD，以及企業(yè)級PE8111系列SSD，2021年將進入176層4D NAND新階段。
176層NAND：SK海力士 VS 美光，將在2021年展開競爭
在SK海力士之前，美光也發(fā)布了176層3D NAND，這是繼128層之后NAND Flash新一代技術制高點。值得注意的是，在美光和SK海力士新技術進展加速推動下，2021年原廠將可能直接在176層NAND技術上展開競爭。
SK海力士表示，新一代176層4D NAND與上一代產品相比，Bit生產率提高了35%以上，從而實現了差異化的成本競爭力，讀取速度比上一代加快了20%，同時數據傳輸速度也提高了33%，達到1.6Gbps。此外，SK海力士還將基于176層推出1Tb容量的4D NAND，進一步滿足市場對大容量的需求，以及提高在NAND Flash市場中的競爭能力。
在產品規(guī)劃上，SK海力士預計在2021年中首先基于176層4D NAND推出移動解決方案產品，最大讀取速度將提高70%，最大寫入速度提高35%，再計劃推出消費類和企業(yè)級SSD產品，以拓展其產品應用市場，提高競爭力。
美光是在11月份宣布開始批量生產全球首個176層3D NAND Flash。與上一代128層3D NAND技術相比，將讀取延遲和寫入延遲改善了35%以上，基于ONFI接口協議規(guī)范，最大數據傳輸速率1600 MT/s，提高了33%，混合工作負載性能提高15%，緊湊設計使裸片尺寸減小約30%，每片Wafer將產生更多的GB當量的NAND Flash。
美光新的176層3D NAND已在新加坡工廠量產，并已通過其Crucial消費類SSD產品線送樣給客戶，將在2021年推出基于該技術的新產品，瞄準5G、AI、云和智能邊緣領域的增長機會，滿足移動、汽車、客戶端和數據中心領域不斷增長的存儲需求。
美光、SK海力士率先突破，三星、西部數據、鎧俠等新一代技術進展如何？
據CFM（中國閃存市場）數據顯示，2020年第三季度NAND Flash營收排名，三星市場份額33.3%，依然排名第一；鎧俠市場份額21.4%，排名第二，西部數據排第三；SK海力士排名第四；美光位列第五；英特爾排名第六位，長江存儲市占份額已經超過1%排名第七。
在176層3D NAND上，美光、SK海力士公開宣布率先取得突破進展，讓NAND Flash市場排名前三的三星、鎧俠、西部數據等感受到威脅的氣息。
日前，三星表示，將在2021年量產第七代V-NAND，使用“雙堆?！奔夹g，具體堆疊層數并未透露，而三星在128層工藝節(jié)點，采用的是“單堆?！奔夹g生產3D NAND。三星也強調，采用“雙堆?！奔夹g，不僅更具技術競爭力，3D NAND也有望堆疊層數達到256層，但并不一定意味著三星第七代NAND將具有這種配置。
來源：三星
鎧俠和西部數據在2019年基于96層QLC單顆Die容量實現1.33Tb容量，2020年初推出的第五代3D NAND技術，采用的是112層堆疊BiCS5，初步量產的是512Gb TLC產品，已經面向消費類的產品發(fā)售，QLC 單顆Die容量將達1.33Tb。至于新一代BiCS6還未公開透露消息。
至于英特爾，已經成功研發(fā)出144層堆疊的QLC閃存，容量較96層QLC提升了約50%，計劃是在2020年底前投入生產，并會推出基于該新技術的消費類和企業(yè)級SSD。雖然SK海力士收購了英特爾NAND業(yè)務，包括中國大連3D NAND工廠，但是在2025年之前，英特爾將繼續(xù)運營大連工廠和制造設計技術，在目前的144層節(jié)點之后，有望再拓展兩到三代。
長江存儲是在2020上半年發(fā)布128層QLC 3D NAND（型號:X2-6070），具有1.6Gb/s高速讀寫性能和1.33Tb單顆Die容量，并在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。同時，長江存儲也發(fā)布了128層512Gb TLC 3D NAND（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
