LPDDR4X內存芯片在規(guī)格方面單顆容量2GB、4GB，頻率3733MHz，電壓1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度-30℃至85℃，200ballFBGA封裝。
除了芯片以外，長鑫還推出了成品內存條，采用自家的原廠內存顆粒，容量為8GB，DDR4，頻率為2666Hz。
當然，這還不意味著你馬上就能買到國產的內存條，目前產品還未上架，長鑫已開始接受上述產品的技術和銷售咨詢，預計近期上市。
盡管在行業(yè)研發(fā)上DDR4不算是最先進的技術，但是在消費市場，DDR4內存還是主流，頻率上也處在平均水準。
合肥長鑫于2016年由兆易創(chuàng)新、中芯國際前CEO王寧國與合肥產投簽訂協(xié)議成立，主要股東為合肥市政府與北京兆易創(chuàng)新，目前，長鑫存儲員工總數超過2700人，技術人員超過500人。CEO朱一明也是兆易創(chuàng)新的創(chuàng)始人，后者是全球最大的NORFlash供應商。
長鑫的建立和規(guī)劃，是半導體行業(yè)典型的“舉國體制”。
2017年9月，國家集成電路產業(yè)投資基金一期宣布入股國產存儲芯片廠商兆易創(chuàng)新，取得約11%股權，成為了其第二大股東。
次月，兆易創(chuàng)新發(fā)布公告，宣布與合肥產投簽署合作協(xié)議，研發(fā)19nm制程的12英寸晶圓DRAM，預算為人民幣180億元，兆易創(chuàng)新出資20%，預計在2018年底前研發(fā)成功，實現產品良率不低于10%。
最終19nm姍姍來遲。2019年，在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，整個制造基地項目總投資超過2200 億元，長鑫也正式宣布自主研發(fā)的基于19nm工藝制造的8GbDDR4芯片正式量產。
2019年12月，長鑫存儲技術有限公司公布其最新的DRAM技術路線圖，將采用19nm工藝生產4Gb和8GbDDR4，目標在2020年一季度實現商業(yè)化生產。目前長鑫月產能約為2萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座DRAM晶圓廠。
韓國半導體在各種超大規(guī)模的投資和收購中逐漸成長，我國的半導體行業(yè)也走在這樣的路上。
靠“買買買”追趕技術的長鑫
目前，全球DRAM市場基本上被美韓瓜分，三星、SK海力士、美光的全球市場份額合計在95%左右，而中國龐大的需求，只能依賴進口解決。
數據顯示，從2008年開始，我國集成電路進口額超過原油，連續(xù)11年成為我國第一大宗的進口商品；2019年1~9月存儲芯片進口量為2.5億臺，累計增長9.5%，進口金額為1139億元，累計增長4%。
2018年內存條成為理財產品的情景還歷歷在目，要想穩(wěn)定市場價格，打破壟斷，就需要國產存儲器廠商們提升技術實力。
但是，半導體行業(yè)后來者入局難，除了需要投入高額的研發(fā)費用以外，專利也是關鍵的門檻。行業(yè)巨頭完全可以通過專利來打擊那些新入局的玩家，畢竟大量的專利掌握在大公司手里。
福建晉華就因為專利問題吃了大虧，不僅被禁售，DRAM的研發(fā)計劃也被叫停。
而長鑫最關鍵的一波操作，是2019年，吃下了已經破產的原歐洲存儲芯片巨頭奇夢達的大量專利。
2019年5月，長鑫CEO朱一明在演講中第一次披露了公司的專利情況，他表示長鑫從已經破產的奇夢達處獲得了大量專利，并且在這個基礎上進行了創(chuàng)新，專利申請數量達到了16000個，還有1000多萬份、約2.8TB有關DRAM的技術文件。
2019年底，長鑫又宣布其與WiLANInc.合資子公司PolarisInnovationsLimited有關達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。
依據專利許可協(xié)議，長鑫存儲從Polaris獲得奇夢達（Qimonda）大量DRAM 技術專利的實施許可，包括與DRAM、FLASH存儲器、半導體工藝、半導體制造、光刻（lithography）、封裝、半導體電路和存儲器接口（MemoryInterfaces）相關的技術，其中包括約5000種美國專利和申請。
專利不僅僅是為了提升技術實力，更是為了繞過專利的封鎖圍堵。
當然，我國半導體行業(yè)依然是處在追趕階段。目前，長鑫存儲把將奇夢達的46nm工藝改進到了10nm級別，但制程也有高低之分。
如果用制程節(jié)點表示，1xnm制程相當于16~19nm，1ynm制程相當于14~16nm，1znm制程相當于12~14nm，此外行業(yè)還規(guī)劃了1α、1β和1γ節(jié)點。
其中，長鑫的10nm存儲芯片屬于第一代的1xnm，而美光與SK海力士已經開始量產第二代1ynm制程。今年初的CES上，美光就展示了基于1ynm的12GLPDDR5內存，由小米10首發(fā)，同時美光也表示今年晚些時候會推出1znm級的產品。
而三星電子則是正式宣布已開始量產用于旗艦級手機的16GBLPDDR5內存，還計劃在今年下半年量產基于10nm級（1z）處理技術的16GBLPDDR5內存。
除了制程以外，產能也需要提升。
長鑫第一期投資約為72億美元，預計產能就有12.5萬片晶圓/月。當然這是理想結果，長鑫預計2019年底能達到4萬片晶圓/月，達到全球產能的3%。作為對比，三星等巨頭單月產量能達到130萬片，還有較大差距。
2020年，回暖的存儲市場
DRAM是計算設備的核心組件之一，由于龐大的需求量，DRAM一直是半導體行業(yè)出貨的主力軍。
ICInsights《2020~2024年全球晶圓產能報告》顯示，DRAM在2019年預期銷售金額將下降38%，但仍將成為所有半導體產品中銷售金額最大的產品，占總半導體銷售總金額17%，市場將達620億美元規(guī)模。
銷售額下降主要是因為2018年價格的飛漲，這一年也是自1990年以來，DRAM銷售額首次超過微處理器（MPU）的總銷售額。
2018年前后熱炒內存，是由于上游閃存顆粒嚴重缺貨，導致存儲芯片難產，價格因此瘋漲。而廠商們嗅到了商機，因此開始擴充產能，以填補市場空缺。
但隨后市場開始低迷，產能過剩，存儲芯片價格又開始走跌。
目前，市場開始穩(wěn)定下來，一些機構預熱今年市場將回溫。ICInsights 的報告就指出，部分存儲芯片廠重啟產能擴充計劃，預計2020年及2021年全球新增晶圓產能將大幅增加，進入高速擴張期。
任天堂、索尼、華為、蘋果存儲芯片的主要供應商臺灣旺宏電子（Macronix）也預測，2020年存儲芯片價格將反彈，市場需求也將穩(wěn)定復蘇。
除了價格周期以外，技術的更新?lián)Q代也將到來。
回顧歷史，2000年推出了DDR，2003年DDR2，2007年DDR3，2014年DDR4。按照規(guī)劃，2020年開始DDR5會逐漸走入消費市場，首先是移動設備，然后是PC。
此外，5G和云的持續(xù)發(fā)展，也是存儲市場回暖的一個推手。
5G網絡的推進，也會促進LPDDR5的應用與普及，高速的網絡需要高速的存儲性能與之配套。美光科技移動產品事業(yè)部市場副總裁ChristopherMoore就表示，5G網絡的部署將大大促進LPDDR5的應用與普及。
此外，服務器端、云存儲、汽車等領域，都將逐漸采用DDR5規(guī)格，用來滿足日益增長的性能需求。到2022年前后，DDR5/LPDDR5有望超越DDR4成為市場主流。
長鑫存儲的規(guī)劃圖顯示，公司下一代將推出第二代10nm（17nm）技術，DDR5也在下一期規(guī)劃當中。
總之，今年是存儲市場開始回暖的一年，對于中國存儲來說，長鑫的DDR4是一個節(jié)點，標志著中國的DRAM在應用市場追上了主流水平。不過，技術上的差距仍然肉眼可見。
未來幾年，隨著PC市場也開始過渡到DDR5。當這一規(guī)格成為主流后，中國廠商們無疑將會面對的更大的挑戰(zhàn)。
