首先，XL-FLASH依然是東芝在BiCS架構(gòu)下打造的NAND型閃存，同樣可以通過(guò)立體堆疊來(lái)提升存儲(chǔ)密度。但與普通3D閃存不同的是，XL-FLASH瞄準(zhǔn)的是高性能應(yīng)用，具體來(lái)說(shuō)就是高帶寬和低延遲。

　　高帶寬代表更接近于DRAM內(nèi)存的讀寫(xiě)速度，使其能夠在部分環(huán)境下部分替代內(nèi)存的作用。低延遲則是針對(duì)NAND閃存的痛點(diǎn)所在，著力于提升4K隨機(jī)讀寫(xiě)效能，提高響應(yīng)速度。

　　高速寫(xiě)入需求：

　　NAND閃存的讀取一直在提速，在升級(jí)Toggle閃存接口之后，BiCS閃存能夠支撐起PCIe 4.0以及下一代PCIe技術(shù)下對(duì)于固態(tài)硬盤順序讀取速度的需求。

　　但相對(duì)而言寫(xiě)入速度依然是個(gè)比較大問(wèn)題。這個(gè)原因應(yīng)該是比較容易理解的，目前TLC已經(jīng)取代MLC成為主流，未來(lái)還會(huì)發(fā)展出QLC甚至是PLC閃存，存儲(chǔ)容量增長(zhǎng)同時(shí)，寫(xiě)入速度不可避免的有所犧牲。盡管東芝存儲(chǔ)提出將在BiCS5上使用4Plane結(jié)構(gòu)來(lái)提振寫(xiě)入效能，但同讀取相比，寫(xiě)入依然是短板。

　　XL-FLASH除了使用SLC構(gòu)型之外，還一舉將Plane數(shù)量提高到16個(gè)，徹底釋放了閃存的并發(fā)存取能力。

　　內(nèi)存擴(kuò)充的需要：

　　雖然內(nèi)存的容量和NAND閃存一樣都在進(jìn)步，但閃存的容量?jī)?yōu)勢(shì)顯然更大一些。在一些需要海量?jī)?nèi)存的環(huán)境中，如果能利用低延遲的特殊類型閃存部分替代DRAM內(nèi)存，可以帶來(lái)更高的性價(jià)比。

　　數(shù)據(jù)分層存儲(chǔ)的需要：

　　QLC閃存方興未艾，東芝已經(jīng)在FMS閃存峰會(huì)上探討了PLC(5bit per cell)的可行性。在企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)逐漸閃存化之后，不同類型的閃存之間將出現(xiàn)一定的性能斷層，大容量閃存陣列同DRAM內(nèi)存之間的性能差距也將進(jìn)一步拉大。XL-Flash是分層存儲(chǔ)理想的高速數(shù)據(jù)載體。

　　我們甚至可以暢想未來(lái)或許會(huì)有搭載小容量XL-FLASH高性能閃存的3D QLC固態(tài)硬盤，它將融高性能和大容量?jī)?yōu)勢(shì)為一體，利用機(jī)器學(xué)習(xí)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)智能化存儲(chǔ)。

　　不過(guò)XL-FLASH距離大規(guī)模量產(chǎn)和消費(fèi)級(jí)實(shí)用化還有比較遠(yuǎn)的距離。近期關(guān)注高性能存儲(chǔ)的朋友可以留意東芝存儲(chǔ)前段時(shí)間宣布的RD500/RC500 M.2 NVMe固態(tài)硬盤，它們采用了東芝主控搭配新一代96層堆疊BiCS閃存，將為大眾玩家?guī)?lái)高性能和大容量的存儲(chǔ)新體驗(yàn)。

　　東芝存儲(chǔ)已于2019年10月1日起更名為Kioxia鎧俠，新名稱是是日語(yǔ)kiodu(存儲(chǔ))和希臘語(yǔ)axia(價(jià)值)的組合：融合存儲(chǔ)和價(jià)值，通過(guò)存儲(chǔ)推動(dòng)世界進(jìn)步。

songjy