三星SSD獨家3D V-NAND技術(shù)的應(yīng)用，是三星850PRO系列產(chǎn)品十年質(zhì)保的根源所在。此前閃存芯片所采用的2D平面型NAND技術(shù)是眾多SSD廠商所采用的，該技術(shù)最大的瓶頸就在于，臨近存儲單元的堆放密度極限，如何在同等面積下容納更多的存儲單元成為了SSD升級面臨的最大問題。不過由三星自主開發(fā)的3D V-NAND技術(shù)的出現(xiàn)，完美的解決了這個問題；該技術(shù)采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過改進(jìn)型的Charge Trap Flash 技術(shù)，在一個3D的空間內(nèi)垂直互連各個層面的存儲單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲空間。這樣的設(shè)計，我們可以通俗的理解成，在單位空間內(nèi)，晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的，會大大提升單位面積的利用率。
 
而且，三星獨有的3D V-NAND技術(shù)，可以垂直堆疊更多個存儲單元，從而提高密度，降低碳足跡，別且還能可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面NAND閃存的密度和寫入速度。使得32層3D V-NAND閃存的使用壽命較之SLC閃存延長至兩倍以上，全新的三星3D V-NAND技術(shù)使得全新的SSD產(chǎn)品的工作負(fù)荷大大提升，每天可應(yīng)對40GB以上的超大容量，這樣的工作負(fù)荷等同于寫入150TB（TBW），確保了SSD具有更長的使用壽命；這也是三星全新SSD產(chǎn)品能夠在業(yè)內(nèi)率先提供10年質(zhì)保的最大技術(shù)保障。
 
高端主控 完美應(yīng)用

除了在閃存方面的技術(shù)提升，三星850 PRO固態(tài)硬盤，在主控方面采用了三星全新研發(fā)生產(chǎn)的S4LN045X01-8030（MEX）主控制器，它屬于ARM架構(gòu)的三核處理器，具備更強悍的多任務(wù)、多路數(shù)據(jù)讀寫傳輸能力。主要提高在算法設(shè)計和CPU的頻率。與之前的300MHz MDX三核主控相比，850PRO的MEX主控的頻率提高到400MHz。

容量全面  應(yīng)用廣泛

獨家的技術(shù)，高端的性能，是三星850PRO系列固態(tài)硬盤的最大特點，除了這些，該系列產(chǎn)品的容量也堪稱全面，分別擁有128GB、256GB、512GB以及1TB四個容量級別，這使得，無論你是什么類型的用戶，都可以選擇到適合自己的應(yīng)用，同時性價比也更為全面。
目前，各大電商可謂貨源充足，型號全面。

 
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