英特爾提及即將推出針對低功耗服務器的14納米芯片

根據(jù)摩爾定律，晶體管尺寸的降低能夠幫助至強系列產品以更低功耗提供更強的處理性能，Bryant同時指出2014年將以14納米制造工藝推出“Broadwell”微架構至強芯片。Bryant并沒有透露關于Broadwell至強芯片處理速度的任何細節(jié)信息，但她提示稱：“大家只要相信我們將再次以更低功耗提供更高性能就行了。”

與其將凌動服務器系列產品當作二等公民(英特爾當初就是這樣處理高端安騰處理器的，但事實證明這種方式完全無助于安騰在市場上的發(fā)展)，英特爾今年決定將凌動芯片作為低功耗版本的至強產品，Bryant表示。

在至強方面，英特爾已經(jīng)于今年六月推出“Haswell”至強E3-1200 v3處理器，該芯片采用22納米制造工藝、最低功耗僅為13瓦且擁有兩個計算核心。明年，英特爾將以Broadwell為基礎設計出一款插槽式至強E3新版本，屆時將轉而采用14納米制造工藝。

另一項決策則讓人吃驚：Bryant補充稱英特爾還打算打出一款Broadwell系統(tǒng)芯片衍生方案，將與其它凌動芯片一樣被直接焊接到主板之上。這款產品旨在幫助對單線程性能要求較高的客戶獲得強于凌動芯片的性能表現(xiàn)。該芯片將搭載集成化I/O、加速器以及網(wǎng)絡結構，主要針對服務器、存儲及網(wǎng)絡等領域。

“我們認識到某些工作負載既要求高性能又需要高密度，”Bryant解釋道。至于這款Broadwell至強SoC會給定期推出的至強E3系列或者凌動服務器衍生產品帶來哪些負面影響，Bryant手下云平臺部門總經(jīng)理Jason Waxman表示，“時間會告訴我們”哪些客戶愿意購買這款芯片，但大部分用戶可能仍會將其視為凌動產品的拓展方案。

凌動服務器產品線也將于明年迎來新成員，即“Denverton”，且同樣采用14納米制造工藝。目前我們尚未掌握凌動服務器產品的細節(jié)信息，但估計會擁有更多計算核心與更高時鐘頻率。

采用22納米制造工藝的第二代“Avoton”凌動芯片自今年三月以來已經(jīng)陸續(xù)向合作伙伴交付樣品，經(jīng)過調整而推出的“Rangeley”衍生芯片也開始入駐存儲陣列產品。Avoton芯片于今年下半年與大家見面，據(jù)我們的推測可能是在九月份。但由于英特爾開發(fā)者論壇對新的“Ivy Bridge-EP”至強E5系列呼聲頗高，Avoton的推出可能由此而延后。

八核心的Avoton與核心數(shù)量尚不明確的Rangeley都基于“Silvermont”微架構。一旦明年AMD公司在精益化64位ARM服務器芯片領域占得先機，這套設計方案將幫助英特爾在此輪猛烈攻擊中免受重大打擊。

轉而采用Silvermont架構之后，凌動芯片能夠以僅占原先三分之一的功耗提供同等性能表現(xiàn)，或者保持原有功耗不變而將性能提升五倍。雖然Bryant許下這樣的承諾，但我們認為這只能被當作設計方案上的普遍效果，無法在每款產品上一一實現(xiàn)。

Waxman在展示環(huán)節(jié)上直接從口袋里掏出一塊Avoton芯片，并描述了該產品的名稱與一些基本信息。Avoton并不會沿用凌動S1200 v3名稱，而是采用全新的凌動C2000，這里的C很可能是在表示“Cloud(云)”。該芯片擁有四個雙核Silvermont區(qū)塊，共享1MB二級緩存。

“Avoton”凌動服務器處理器信息圖表

Avoton與Rangeley兩款芯片非常類似，芯片上搭載四個控制器及16條PCI-Express 2.0外圍通道，外加一個集成DDR3內存控制器，能夠支持1.6GHz內存。八核心芯片的性能表現(xiàn)比前代雙核心“Centerton”凌動S1200 v1芯片高出六倍，內存容量支持能力也為前代方案的八倍，達到64GB。它還搭載四個1Gb每秒以太網(wǎng)端口、六個SATA端口以及一個加密處理器。

英特爾公司還沒有公布Avoton的具體時鐘速率、性能指標或者散熱機制，但Waxman明確表示Avoton的每瓦性能將達到Centerton的四倍。Waxman還宣稱，英特爾已經(jīng)在Avoton與Rangeley芯片針對服務器、存儲及網(wǎng)絡設備的研發(fā)領域取得五十項設計成果，與Centerton的設計成果相比高出一倍半。毫無疑問，Avoton將是一款非常出色的處理器。

lihongliang