(P-BIC碼具有“U”形的NAND串在背柵極底部部分，以減少寄生電阻。并沒有在CGS之間擴(kuò)散。選擇具有不對稱的源極和漏極結(jié)構(gòu)門，以減少電流關(guān)閉。)幻燈片內(nèi)容

東芝BICS技術(shù)幻燈片

SandDisk BiCS的時(shí)間表并不取決于它能成為第一個(gè)市場，分析師認(rèn)為。 “SanDisk公司，在其5月投資者會議上，做了一個(gè)非常大的指向說，他們不會被推出BICS，直到它被證明相對于1Z能提供更好的投資回報(bào)率”。

“盡管如此,”分析師繼續(xù)講道,“有的內(nèi)部投資分析師質(zhì)疑為什么公司會落后于三星,有傳言說今年他會介紹它的3 d NAND今年。似乎他們不明白兩者之間的不同，是成為第一市場,還是要第一個(gè)利潤。”

SanDisk的1Z術(shù)語是指至10nm比16nm以下，這是一般所理解的1Z內(nèi)的單元格的大小。

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