圖一：PMC認為FlashTec NVRAM加速卡很好地填補了DRAM和PCI-E閃存卡之間的性能空白。

根據(jù)PMC公司介紹，F(xiàn)lashTec NVRAM加速卡基于業(yè)界標準的NVMe接口，采用了PCI-E 3.0接口直接與主機相連，該產(chǎn)品采用了PMC的NVMe閃存控制器，目前擁有NV1616、NV1608、NV1604三個型號，分別配置了16GB、8GB和4GB容量。PMC公司表示FlashTec NVRAM加速卡能夠?qū)崿F(xiàn)性能十倍于當前最快速的的固態(tài)盤，可提供超千萬的IOPS。

圖二：PMC FlashTec NVRAM加速卡外觀，該加速卡配置了4Gb、8Gb和16Gb三個型號的DRAM，同時還有閃存?zhèn)浞菽K和備份電源模塊。

PMC公司專家張冬表示：“FlashTec NVRAM加速卡為一款標準半高、半長尺寸的PCI-E卡，其設計緊湊，可以放入任何服務器之中，基本可以與所有服務器兼容。”

“幾年前，50K IOPS的系統(tǒng)屬于非常高端的。但是，現(xiàn)在則是連入門級都稱不上?，F(xiàn)在SSD的普及之后，性能提升非常快，但是性能提升的同時SSD的耐用度問題開始顯現(xiàn)，目前閃存的耐用度已經(jīng)無法滿足不斷攀升的IOPS速度。而從性能的角度來看，DRAM是非常理想的選擇，但是DRAM的缺陷是非常容易受到電源故障的影響，必須為DRAM增加UPS或者備用電池來做斷電保護，這樣無疑增加了維護難度和機架空間。”張冬補充道。

圖三：PMC FlashTec NVRAM加速卡的兩種應用模型，氛圍基于塊的訪問和內(nèi)存映射的訪問。

張冬表示：“相比于SSD性能不均衡，F(xiàn)lashTec加速卡可以持續(xù)提供均衡的性能。FlashTec提供了NVMe的原生接口，容易整合；此外，還提供了內(nèi)存映射訪問，在該模式下，F(xiàn)lashTec加速卡將內(nèi)存容量直接映射到應用的虛擬內(nèi)存地址空間。當應用需要訪問之時，CPU可以當作原生內(nèi)存來使用，無需消耗任何存儲周期。”

FlashTec NVRAM：定位在閃存細分市場

不可否認，閃存在數(shù)據(jù)中心形成普及應用的趨勢下，用戶對于閃存的需求也開始走向細分，這種現(xiàn)象也在客觀上刺激了廠商在閃存上面的創(chuàng)新，就如PMC推出的針對寫緩存和元數(shù)據(jù)處理等應用的FlashTec NVRAM加速卡。PMC公司也認為FlashTec NVRAM的市場覆蓋范圍將不會像通用性的閃存產(chǎn)品那樣廣泛。

圖四：在高性能SSD層和DRAM層之間是當前閃存創(chuàng)新的聚焦點。

事實上，在當前市場中，除了PMC之外，也有其他廠商在專注于更快速的閃存產(chǎn)品的創(chuàng)新。比如當前比較流行的NV-DIMM產(chǎn)品，其通過閃存+電容組成的內(nèi)存條的方式來提升處理速度。PMC技術專家張冬表示：“NV-DIMM的機制與FlashTec NVRAM類似，但是FlashTec具有容量大、不占用DIMM插槽，F(xiàn)lashTec還有一個專門的處理器來移動數(shù)據(jù)，減輕CPU的數(shù)據(jù)移動處理消耗。”

圖五：PMC公司認為NV-DIMM的加速方式需要更加復雜的系統(tǒng)設置。

“NV-DIMM需要服務器主板的BIOS支持，且NV-DIMM與DIMM之間難以混合，需要額外的電源來支持DIMM插槽，并且會占用CPU周期內(nèi)存總線帶寬等缺陷。”張冬補充道。

不過張冬也承認FlashTec NVRAM加速卡并不會像通用型閃存產(chǎn)品那樣擁有廣泛的應用范圍。張冬表示：“FlashTec不會是很通用的場景，像分布式存儲的元數(shù)據(jù)節(jié)點是限制分布式存儲性能的關鍵，元數(shù)據(jù)處理太慢會導致分布式存儲整體性能刪不去，F(xiàn)lashTec會很適合解決這種場景問題；另外，像互聯(lián)網(wǎng)用戶登陸產(chǎn)生的一堆日志，數(shù)據(jù)非常小，但是跟關鍵應用結(jié)合緊密，需要FlashTec這樣的產(chǎn)品來提升處理速度。”

最后，張冬表示后續(xù)會推出更多容量規(guī)格的FlashTec NVRAM加速卡產(chǎn)品，當前的4GB-16GB容量規(guī)格已經(jīng)能夠滿足用戶的使用。 

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