磁頭是數(shù)據存儲設備中重要的電磁換能元件。據１０日的《日經產業(yè)新聞》報道，新型磁頭用氧化鎂制造而成。這種磁頭在硬盤存儲密度超過每平方英寸５００吉比特時依然能保證對信息的高速讀取，突破了目前存儲密度每平方英寸１００多吉比特高速讀取的水平。
實現(xiàn)硬盤存儲密度的提升，應同時保證磁頭低電阻和高磁阻比兩個條件。為降低電阻，必須減小氧化鎂膜的厚度，但膜的厚度降到１納米以下時，氧化鎂結晶構造會出現(xiàn)錯亂，致使電阻不能進一步降低。
日本研究人員發(fā)現(xiàn)，生產裝置中殘留的微量水蒸氣是破壞結晶構造的原因。他們在生產裝置中鋪設了吸收水蒸氣的鉭層，從而使磁頭的電阻率減少到原有技術的五分之一，而磁阻比維持原有水平。
