為了測試光電型鐵電存儲器是否行得通，Ramesh 和 Wang 在金屬氧化物表面上鍍了一層鐵酸鉍膜，然后將其蝕刻為 4 條，在這四條蝕刻條上面他們又直角交叉搭上四根金屬條。交叉出來的 16 個方格每一個都充當了一個內(nèi)存單元，而金屬和金屬氧化物則充當電極。研究小組利用電極來極化這些內(nèi)存單元，然后用光線照射它們，結(jié)果發(fā)現(xiàn)它們生成了兩種電壓讀數(shù)，一正（1）一負（0）。

這些內(nèi)存單元的讀寫用時不到 10 納秒，而記錄這些數(shù)據(jù)的電壓只需 3 伏。相對而言，目前領先的非易失性 RAM 技術(shù)—閃存的讀寫時間是其 10000 倍，而記錄所需電壓為 15V。

變小

主持羅格斯大學 2009 年那項研究的凝聚態(tài)物理學家 Sang-Wook Cheong 說，這是鐵電廣生伏打效應朝著技術(shù)應用邁出的重要一步。

半導體研究公司的材料專家 Victor Zhirnov 則說，這項技術(shù)需要在小型化上取得更大突破才能具有競爭性。商用閃存的組件可以小至 22 毫微米，而這款原型所用的材料卻有 10 微米之寬。唯有把尺寸做小才能提高內(nèi)存容量，從而降低造價。

Ramesh 說，把原型設備做小不存在根本性的障礙，但是實踐性挑戰(zhàn)是有的。

此外，目前原型設備是整體照射的，這種做法顯然缺乏實用。但是設計出能逐個照射內(nèi)存單元的系統(tǒng)是件麻煩事。因此工程師必須想辦法設計出可以單獨照射內(nèi)存單元的光學組件。

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bruce

道由心悟，豈在坐也

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