此前閃存芯片所采用的2D平面型NAND技術是眾多SSD廠商所采用的，該技術最大的瓶頸就在于，臨近存儲單元的堆放密度極限，如何在同等面積下容納更多的存儲單元成為了SSD升級面臨的最大問題。不過由三星自主開發(fā)的3D V-NAND技術的出現(xiàn)，完美的解決了這個問題；該技術采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過改進型的Charge Trap Flash 技術，在一個3D的空間內垂直互連各個層面的存儲單元，使得在同樣的平面內獲得更多的存儲空間。

這樣的設計，我們可以通俗的理解成，在單位空間內，晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的，就好比在一塊土地上蓋房子，如果是采用平房結構，那么就會降低土地的利用率，要是采用樓房的形式，就會大大提升單位面積的利用率。

而且，三星全新的3D V-NAND技術，可以垂直堆疊更多個存儲單元，從而提高密度，降低碳足跡，別且還能可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面NAND閃存的密度和寫入速度。使得32層3D V-NAND閃存的使用壽命較之SLC閃存延長至兩倍以上，全新的三星3D V-NAND技術使得全新的SSD產品的工作負荷大大提升，每天可應對40GB以上的超大容量，這樣的工作負荷等同于寫入150TB（TBW），確保了SSD具有更長的使用壽命；這也是三星全新SSD產品能夠在業(yè)內率先提供10年質保的最大技術保障。

除了在閃存方面的技術提升，三星850 PRO固態(tài)硬盤，在主控方面采用了三星全新研發(fā)生產的S4LN045X01-8030（MEX）主控制器，它屬于ARM架構的三核處理器，具備更強悍的多任務、多路數(shù)據(jù)讀寫傳輸能力。主要提高在算法設計和CPU的頻率。與之前的300MHz MDX三核主控相比，850PRO的MEX主控的頻率提高到400MHz。

三星全新SSD產品850PRO系列，之所以擁有超長的10年質保承諾，與其擁有強大的研發(fā)與生產能力密切相關，三星SSD產品是目前市場上唯一自家生產封裝主控、閃存顆粒、以及組裝成品的固態(tài)硬盤廠商，力求為每一位使用者提供了更全面的，更快捷，更安全的使用體驗，相信一定會是您提高電腦性能的最佳選擇。

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