英特爾公司副總裁兼英特爾閃存產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Darin Billerbeck表示：“英特爾已經(jīng)驗證的第四代多級單元技術(shù)可為我們的嵌入式產(chǎn)品客戶提供出色的性價比優(yōu)勢。英特爾StrataFlash嵌入式存儲器是我們的每位成本（cost-per-bit）最低的解決方案，可為嵌入式應(yīng)用開發(fā)商提供一個全面的特性集，其中包括高性能、更多安全選件、以及支持電池供電的低壓特性等?！?nbsp;
據(jù)悉，全新英特爾StrataFlash 嵌入式存儲器產(chǎn)品家族將提供從64 MB到1 GB的廣泛密度，從而可為開發(fā)商提供一條輕松的升級路徑，同時還可避免重新設(shè)計工作，并能夠最大限度地降低成本。
密度為64 Mb ? 512 Mb的英特爾StrataFlash 嵌入式存儲器將于2005年第二季度推出，并可與免版稅英特爾閃存軟件結(jié)合使用，以改進數(shù)據(jù)和文件管理。密度為1 Gb的設(shè)備將于2005年下半年推出。
