12G服務(wù)器的PERC卡按性能可以分為四類(lèi):PERC S110、PERC H310、PERC H710、PERC H710P/H810的RAID卡。
談及RAID卡,在整個(gè)服務(wù)器系統(tǒng)中,磁盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)性能最慢。傳統(tǒng)的磁盤(pán)存儲(chǔ)采用機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)的方式,單個(gè)磁盤(pán)讀寫(xiě)速度提升相比其它組件都要來(lái)得慢。因此,通過(guò)RAID技術(shù)將多個(gè)物理磁盤(pán)的讀寫(xiě)性能合并。
而RAID卡的性能通過(guò)不同的類(lèi)別針對(duì)不同用于,毫無(wú)疑問(wèn)地會(huì)影響到整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能。首先來(lái)看看戴爾第12代服務(wù)器的RAID卡有什么變化。
正如之前所提,戴爾服務(wù)器上的RAID卡被稱(chēng)作PERC (PowerEdge Expendable RAID Controller的縮寫(xiě))。12G服務(wù)器的PERC卡按性能分成了以下幾種:
①、PERC S110基于芯片組和驅(qū)動(dòng)的軟RAID,用于Windows系統(tǒng)中,適合入門(mén)用戶(hù)。
②、PERC H310入門(mén)級(jí)硬件RAID卡(支持raid0、1、5、10、50)。由于沒(méi)有緩存,RAID5隨機(jī)寫(xiě)性能比較有限。
③、PERC H710中端級(jí)硬件RAID卡。擁有512MB的讀寫(xiě)緩存,因此RAID5隨機(jī)讀寫(xiě)性能有相當(dāng)大的提高,能滿足一般業(yè)務(wù)應(yīng)用的需求。
④、PERC H710P/H810高端硬件RAID卡。其中H710P用來(lái)連接服務(wù)器內(nèi)部硬盤(pán),H810用來(lái)連接外掛的MD1x00系列磁盤(pán)柜。它們擁有1GB的讀寫(xiě)緩存和一系列高級(jí)功能,能滿足大部分高IOPS和高帶寬業(yè)務(wù)應(yīng)用的需求。
對(duì)于RAID卡來(lái)說(shuō),數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是關(guān)鍵。通常有約80%以上屬于不活躍性數(shù)據(jù),只有約20%屬于活躍或者熱點(diǎn)數(shù)據(jù)。特別是在Web服務(wù)器、文件服務(wù)器、虛擬桌面(VDI)對(duì)熱點(diǎn)數(shù)據(jù)有頻繁的讀操作。而傳統(tǒng)的磁盤(pán)存儲(chǔ)無(wú)法滿足響應(yīng)速度,而SSD有限的容量和價(jià)格也受到制約。
PERC H310入門(mén)級(jí)硬件RAID卡
正如之前談到,PERC H310入門(mén)級(jí)硬件RAID卡由于沒(méi)有緩存,RAID5隨機(jī)寫(xiě)性能比較有限,在戴爾12G服務(wù)器上針對(duì)用戶(hù)業(yè)務(wù)不同進(jìn)行入門(mén)級(jí)應(yīng)用選擇。
而針對(duì)Dell PERC H710集成RAID控制器,512 MB NV高速緩存(全高),因此RAID 5隨機(jī)讀寫(xiě)性能有相當(dāng)大的提高,能滿足一般業(yè)務(wù)應(yīng)用的需求。作為中端產(chǎn)品可提高性能、可靠性和容錯(cuò)能力并簡(jiǎn)化管理,從而提供強(qiáng)大且易于管理的方法來(lái)創(chuàng)建穩(wěn)健的基礎(chǔ)架構(gòu)并幫助最大限度延長(zhǎng)服務(wù)器正常運(yùn)行時(shí)間。
Dell PERC H710
針對(duì)高端H710P/H810 RAID卡中自帶的CacheCade功能,通過(guò)啟用PERC卡級(jí)別的數(shù)據(jù)分層。只需要添加1-4塊SSD硬盤(pán)并設(shè)置為CacheCade可以實(shí)現(xiàn)性能提升,從而側(cè)面從高端延伸至低端入門(mén)級(jí)卡了解12G服務(wù)器PERC卡的知識(shí)。
PERC H710P/H810 RAID卡
PERC H710P/H810首次采用的雙核PPC 800MHz CPU,同時(shí)還增加1MB的二級(jí)緩存和4MB的SRAM,提高RAID卡的計(jì)算能力。讀寫(xiě)緩存使用1GB的1333MHz DDR內(nèi)存,比上一代PERC產(chǎn)品提高了近一倍的性能。
新PERC卡上的電池比以前略顯小,筆者了解主要是12G服務(wù)器的PERC卡使用NVRAM保護(hù)寫(xiě)緩存。當(dāng)系統(tǒng)意外掉電時(shí),1GB DDR緩存中還未寫(xiě)入硬盤(pán)的數(shù)據(jù)將被寫(xiě)入到NVRAM中,在寫(xiě)入NVRAM的過(guò)程中保證供電。寫(xiě)入成功后,電池停止供電,但相比之以只能保持72小時(shí)的緩存,NVRAM中的緩存可以長(zhǎng)期地保存下去,新PERC卡提升可靠性。