美光DDR4總線(xiàn)HDIMM概念圖

在概念圖中，混合型DIMM(簡(jiǎn)稱(chēng)HDIMM)控制器將與服務(wù)器中的DDR4總線(xiàn)相接駁，用于處理DRAM與NAND在訪(fǎng)問(wèn)過(guò)程中由延遲所帶來(lái)的誤差。而在制造商打算將NAND閃存替換為相變內(nèi)存時(shí)，我們也可以對(duì)非易失性?xún)?nèi)存(簡(jiǎn)稱(chēng)NVM)控制器進(jìn)行更新以適應(yīng)新的工作機(jī)制。由于板件本身同時(shí)承載了DRAM與NVM，它就能夠在保持DRAM速度優(yōu)勢(shì)的同時(shí)利用NVM的數(shù)據(jù)非易失特性。

但是這么做到底有何意義?DRAM的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間通常以納秒計(jì)(即十億分之一秒)，而NAND的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間則以微秒計(jì)(即百萬(wàn)分之一秒)——在存儲(chǔ)領(lǐng)域，NAND已經(jīng)擁有相當(dāng)高的普及度，但DRAM卻始終打不開(kāi)局面。換言之，為了獲得可以接受的存儲(chǔ)容量，我們不得不放棄內(nèi)存那令人驚嘆的傳輸速度、轉(zhuǎn)而使用速度更慢但容量更大的閃存方案。以下是全新混合型方案的適用方向：

在內(nèi)存中保存大型數(shù)據(jù)庫(kù);

在NAND前端利用DRAM緩存替代固態(tài)硬盤(pán);

具備閃存交換空間的DRAM模塊;

DRAM輔助下的閃存塊存儲(chǔ)。

美光公司的HDIMM在容量方面已經(jīng)有望突破256GB，該公司還希望微軟的Windows操作系統(tǒng)能夠?qū)ζ浞桨柑峁┢脚_(tái)支持。微軟公司已經(jīng)對(duì)這一概念表達(dá)了關(guān)注，但并沒(méi)有做出明確承諾。這種技術(shù)真能一飛沖天嗎?以目前的參數(shù)來(lái)看，其發(fā)展前景還是有一定保障的，但前提在于其它DRAM及閃存廠(chǎng)商對(duì)此表現(xiàn)出足夠的興趣，且能夠招徠各操作系統(tǒng)平臺(tái)的廣泛支持。

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