英特爾的DC S3700是其710和X-25E硬盤(pán)的后續(xù)產(chǎn)品。DC S3700與英特爾近期發(fā)布的大多數(shù)硬盤(pán)不同，它使用了英特爾設(shè)計(jì)的一種專(zhuān)用控制器，這種控制器是專(zhuān)門(mén)為了解決固態(tài)硬盤(pán)延遲時(shí)間不一致的問(wèn)題而設(shè)計(jì)的。 由于固態(tài)硬盤(pán)必須將數(shù)據(jù)寫(xiě)入空白的閃存頁(yè)，如果寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)沒(méi)有空白閃存頁(yè)，就會(huì)出現(xiàn)10或20毫秒的延遲時(shí)間。DC S3700可以將這個(gè)延遲時(shí)間減少到最小程度。 英特爾聲稱，DC S3700的最大延遲時(shí)間只有500µs。

英特爾與HGST簽訂了一份關(guān)于SAS硬盤(pán)的開(kāi)發(fā)協(xié)議。HGST是西部數(shù)據(jù)的子公司，以前名叫Hitachi Global Storage Technology。由于陣列廠商對(duì)他們的硬盤(pán)作了重要的技術(shù)認(rèn)證，并且與希捷和西部數(shù)據(jù)簽訂了OEM協(xié)議，因此英特爾推出SAS硬盤(pán)可能不會(huì)增加太大的價(jià)值。 雖然他們沒(méi)有承諾過(guò)什么，但英特爾發(fā)言人稱，公司近期可能會(huì)推出一款整合了DC S3700的控制器技術(shù)的HGST硬盤(pán)。

值得注意的是，英特爾的DC S3700和三星的硬盤(pán)都使用了2x納米級(jí)閃存，閃存廠商們?cè)诎l(fā)布最新產(chǎn)品時(shí)變得越來(lái)越謹(jǐn)慎。他們使用2x納米級(jí)來(lái)指代20-29納米級(jí)技術(shù)，而不是僅僅告訴我們它是23納米或27納米級(jí)的技術(shù)。

雖然這些固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格都比消費(fèi)者級(jí)硬盤(pán)的價(jià)格高出好幾倍，但是它們能夠提供數(shù)據(jù)中心所需的高性能、高耐用性和數(shù)據(jù)完整性，因此對(duì)于數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)還是值得的。

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