HDS首席技術(shù)官Yoshida在博客中寫道:“像HDT(Hitachi動(dòng)態(tài)分層)等功能可以優(yōu)化閃存的使用,通過(guò)移動(dòng)熱卷的頁(yè)面到閃存層中,同時(shí)讓冷頁(yè)面遷移到低成本的硬盤層。另外,HDP(Hitachi動(dòng)態(tài)配置)通過(guò)提供全局損耗均衡來(lái)增加耐用性。”
VSP閃存加速
HDS宣布了針對(duì)其VSP陣列基于閃存的加速功能,通過(guò)一個(gè)許可證密鑰來(lái)啟用,使它實(shí)現(xiàn)超過(guò)100萬(wàn)隨機(jī)讀取IOPS的性能,是目前VSP性能的3倍。該陣列響應(yīng)IO請(qǐng)求加快了65%,典型OLTP工作負(fù)載下可以得到平均2倍的性能提升。此外還包括:
VSP的虛擬機(jī)密度可以提高1倍。HDS表示一個(gè)全閃存的EMC VMAX 40000(40K)能做到81萬(wàn)IOPS,比閃存加速的VSP少了大約20萬(wàn)的IOPS。
HDS的CTO Hu Yoshida表示::“超過(guò)24個(gè)線程運(yùn)行全SSD的配置,我們使用8K隨機(jī)讀取測(cè)量到超過(guò)100萬(wàn)的IOPS。…總體來(lái)說(shuō),V04A版本的VSP和閃存加速的最大總吞吐量將超越100萬(wàn)IOPS。”
他認(rèn)為,閃存每GB的成本可能變得比磁盤還低:
大多數(shù)分析師說(shuō),硬盤的價(jià)格下降速度放緩至大約每年20%,從歷史趨勢(shì)看,在過(guò)去50年中每年的速度大約為40%。同時(shí),他們預(yù)測(cè)MLC閃存驅(qū)動(dòng)器 的價(jià)格正在以大約每年40%的速度下降,主要因?yàn)橄M(fèi)級(jí)空間的智能手機(jī)和其他移動(dòng)設(shè)備的驅(qū)動(dòng)正在提升容量。以這樣的速度,我們?cè)谖磥?lái)五至七年將看到MLC 閃存變得比性能優(yōu)化的硬盤更便宜。
該功能已經(jīng)開始向新客戶提供,現(xiàn)有的VSP客戶也可以通過(guò)一個(gè)微碼更新到V04A。
這張幻燈片顯示了HDS閃存產(chǎn)品路線圖的下一步計(jì)劃:
我們將看到一款Hitachi/ HDS的PCIe固態(tài)盤、一款全閃存陣列、一個(gè)針對(duì)直連服務(wù)器磁盤存儲(chǔ)的閃存緩存,以及一個(gè)在SAN和NAS(統(tǒng)一存儲(chǔ))領(lǐng)域的外部固態(tài)盤設(shè)備。VSP陣列將使用該閃存技術(shù)來(lái)高速緩存磁盤驅(qū)動(dòng)器并作為一個(gè)分層。
Hitachi工程師已經(jīng)在閃存控制器上努力了一年多,這代表了一個(gè)堅(jiān)定和持久的內(nèi)部發(fā)展,可能給所有其他PCIe閃存、全閃存陣列和混合閃存/磁盤驅(qū)動(dòng)器陣列供應(yīng)商帶來(lái)強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng),尤其是當(dāng)他們所付出的成本滿足了吞吐量的要求。