SSD 910架構(gòu)圖

“性能模式”是英特爾Data Center Tool軟件中的一個(gè)內(nèi)置功能,不過(guò)該功能只能在800GB容量的SSD上實(shí)現(xiàn)。400GB的SSD 910模式為“always”性能模式,因?yàn)樵跇?biāo)準(zhǔn)的PCIe 25瓦規(guī)格下就可以實(shí)現(xiàn)全速運(yùn)行。800GB版本的擁有額外組件可以實(shí)現(xiàn)在25瓦功耗下運(yùn)行從而支持其默認(rèn)模式。將800GB的默認(rèn)模式轉(zhuǎn)換到性能模式,其功耗也會(huì)相應(yīng)增加到38瓦。

彪悍!英特爾PCIe SSD 910淺析[組圖]

英特爾PCI-E SSD(800GB)

彪悍!英特爾PCIe SSD 910淺析[組圖]

局部特寫(xiě)

圖片中展示的4個(gè)鋁電解電容器,屬于“V”類(lèi)“FK”系列。每個(gè)都為330uF,而且看起來(lái)好像每個(gè)都有功率變頻電路設(shè)計(jì)。這四個(gè)電容器,也就是相當(dāng)于每個(gè)電容器負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng)一個(gè)200GB SAS SSD單元。

在對(duì)該SSD進(jìn)行拆解之前,讓我們先來(lái)看看其側(cè)面。該效果與我們此前在IDF2012展會(huì)上看到的一樣。

彪悍!英特爾PCIe SSD 910拆解[大圖]

側(cè)面俯視

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被拆解后的SSD 910(800GB)

最上面兩個(gè)PCB(Printed Circuit Board,印制電路板)主要包含閃存芯片,底下的PCB則擁有4個(gè)SAS SSD控制器和LSI SAS HBA(主機(jī)總線適配器,隱藏在散熱器下面)。

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SAS 控制器

從上圖中我們可以看到,每個(gè)SAS控制器都有同等的DDR RAM(圖片右下角),而LSI HBA占據(jù)面積比SAS控制器略小(圖片左側(cè))。

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連接器

負(fù)責(zé)將每個(gè)閃存PCB傳輸?shù)街靼宓倪@些連接器也十分牢固,做工精良,用料足。

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PCB背面

最后,我們?cè)賮?lái)看下這三塊PCB背面。從圖片中我們可以發(fā)現(xiàn),控制器的功率切換器和RAM并排在板子的底下,而那些更大些的LSI SAS HBA估計(jì)則被設(shè)計(jì)在板子的中間位置。

讀寫(xiě)性能測(cè)試

在對(duì)英特爾PCI-E接口的SSD 910的外觀有了初步認(rèn)識(shí)之后,接下來(lái)我們就來(lái)看看這個(gè)產(chǎn)品的性能測(cè)試。

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測(cè)試實(shí)驗(yàn)環(huán)境

當(dāng)測(cè)試諸如SSD 910系列產(chǎn)品的高IOPS設(shè)備的時(shí)候,特別需要注意試驗(yàn)臺(tái)不能雜亂不堪,避免有其他設(shè)備的干擾。此次測(cè)試采用了Sandy Bridge集成圖形處理能力的平臺(tái)架構(gòu),從而為SSD 910盡量節(jié)省所有可能的帶寬資源。

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測(cè)試環(huán)境

首先我們進(jìn)行ATTO測(cè)試。Windows下的4個(gè)SCSI邏輯單元編號(hào)也就意味著Dynamic Disk(軟件)RAID。由于沒(méi)辦法對(duì)條帶進(jìn)行設(shè)定,因此 我們只能使用事先定義的64k進(jìn)行測(cè)試。

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ATTO測(cè)試結(jié)果

在連續(xù)模式下也僅僅是高于1.5GB/S的寫(xiě)入、低于2GB/s的讀取速度。而在4K-64K區(qū)域性能表現(xiàn)貌似稍遜于主流PCIe SSD。這可能是因?yàn)閲L試將4個(gè)LUN邏輯單元號(hào)與Windows RAID相連。

隨機(jī)寫(xiě)入速度驚人

下面,我們給出只針對(duì)一個(gè)200GB邏輯單元號(hào)進(jìn)行ATTO測(cè)試的參考數(shù)據(jù):

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單個(gè)200GB下的測(cè)試結(jié)果

我們需要注意的是,當(dāng)Windows RAID還算空閑的時(shí)候,較低的transfer sizes下性能表現(xiàn)緩慢爬升。而且,從以上這兩次ATTO運(yùn)行數(shù)據(jù)來(lái)看,在小于4K的時(shí)候基于日立控制器的寫(xiě)入性能較差。下面,我們來(lái)看看IOMeter測(cè)試結(jié)果。

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不同配置下IOPS值(性能模式)

首先,上圖展示的是LSI HBA分別處理SSD IOPS的數(shù)值,我們可以看到隨著更多LUN的增加,讀寫(xiě)性能呈現(xiàn)出一種線性的增長(zhǎng)趨勢(shì),IOMeter同時(shí)直接訪問(wèn)這四個(gè)設(shè)備,繞過(guò)了Windows RAID。

緊接著,混合工作負(fù)載(同時(shí)讀取和寫(xiě)入)性能要遜于單獨(dú)讀或?qū)懙男阅?,盡管這是預(yù)期之中的局面,但反差之大有點(diǎn)令人始料不及。

最后,你會(huì)發(fā)現(xiàn)上面的寫(xiě)入測(cè)試數(shù)據(jù)是斜體顯示的,這是剛開(kāi)始大量使用SSD的時(shí)候的數(shù)據(jù)。為了更好的說(shuō)明這款SSD的性能,下面再對(duì)其進(jìn)行4K隨機(jī)寫(xiě)入測(cè)試:

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隨機(jī)寫(xiě)入測(cè)試

從測(cè)試結(jié)果可以看出,4K隨機(jī)寫(xiě)入測(cè)出來(lái)的IOPS值遠(yuǎn)超英特爾所標(biāo)稱(chēng)的75K,而且這是在連續(xù)寫(xiě)入的情況下得到的數(shù)據(jù)。結(jié)合英特爾的HET-MLC閃存技術(shù),在擴(kuò)充10倍容量的基礎(chǔ)上還能滿足日常使用長(zhǎng)達(dá)5年時(shí)間之久,可以說(shuō)這款產(chǎn)品非常彪悍。

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wangzhen

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