盡管困難和阻力越來(lái)越大，Intel以其無(wú)以倫比的技術(shù)實(shí)力，仍在努力推進(jìn)半導(dǎo)體工藝的深發(fā)展，14nm剛剛開(kāi)始登場(chǎng)，就已經(jīng)在大談特談7nm了。

Intel院士Mark Bohr表示：“我的日常工作就是研究7nm。我相信，沒(méi)有EUV也能做到。”

EUV就是極紫外光刻。這十幾年來(lái)，半導(dǎo)體工藝雖然在不斷進(jìn)步，但是核心光刻技術(shù)一直沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的突破，還是老一套，EUV就是眾望所歸的下一站，但其難度之大就連Intel也是異常吃力，結(jié)果一拖再拖，至今遙遙無(wú)期。

Intel認(rèn)為，EUV技術(shù)已經(jīng)來(lái)不及用于10nm，甚至7nm上都很難說(shuō)，盡管很多人對(duì)此抱著很大的期望。

Bohr進(jìn)一步解釋說(shuō)：“我對(duì)EUV非常感興趣，真的能幫助工藝進(jìn)步，部分時(shí)候還能將三四個(gè)遮罩縮減為一個(gè)，但不幸的是，它還沒(méi)有做好準(zhǔn)備，產(chǎn)能和可靠性還不夠。”

Bohr沒(méi)有透露如何在沒(méi)有EUV的情況下實(shí)現(xiàn)10nm、7nm，不過(guò)他指出Intel 14nm在一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵層上使用了新的三重曝光技術(shù)。

他還表示，2015年底的時(shí)候，Intel會(huì)安排部分代工客戶體驗(yàn)嘗鮮一下10nm，這也暗示新工藝產(chǎn)品將無(wú)法按原計(jì)劃推出，得等到2016年了。如此樂(lè)觀估計(jì)，7nm至少得2018年。