8月21日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，由于新產(chǎn)品在設(shè)計(jì)和制造工藝上與上一代產(chǎn)品相比都有長足進(jìn)展，英特爾在移動(dòng)市場的競爭力得到大幅提升。高通即將發(fā)布的驍龍810芯片的跑分已經(jīng)出爐，英特爾新款移動(dòng)芯片的跑分要到英特爾開發(fā)商論壇(9月9日-11日)期間才能披露出來。英特爾已經(jīng)解決了所有實(shí)際問題——能耗、封裝和性能。但是，價(jià)格、GPU(圖形處理單元)性能、集成的GPU內(nèi)核數(shù)量等因素，將使高通在轉(zhuǎn)向16納米工藝前能繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。

Broadwell酷睿M的技術(shù)進(jìn)步

CPU(中央處理單元)的性能提高幅度非常大。更小的封裝工藝、能耗的提高、每周期執(zhí)行的指令數(shù)量和更低的熱設(shè)計(jì)功耗，所有這些因素大幅提高了Broadwell酷睿M的效能比。

英特爾通過降低發(fā)熱量確保采用其移動(dòng)芯片的的產(chǎn)品無需使用風(fēng)扇。這將增加英特爾進(jìn)入智能手機(jī)和平板電腦市場的幾率，因?yàn)楦�小尺寸的CPU有助于催生更輕薄的設(shè)備設(shè)計(jì)。對于移動(dòng)設(shè)備廠商來說，降低設(shè)備厚度是它們優(yōu)先考慮的一個(gè)問題，這有助于提高設(shè)備的便攜性。多年來，英特爾還一直在采取措施降低GPU閑置期間的能耗。

高通驍龍810芯片采用20納米工藝，不如英特爾Broadwell酷睿M的14納米工藝。在圖形處理方面，英特爾的設(shè)計(jì)可能不如高通優(yōu)秀。但是在CPU方面，筆者認(rèn)為，即使英特爾的設(shè)計(jì)略有遜色，但更高的晶體管密度、每周期執(zhí)行的指令的增加，將提供足夠高的性能，使英特爾在明年與高通的競爭中不會(huì)落于下風(fēng)。

科技博客網(wǎng)站GSM Arena報(bào)道，“驍龍810集成有4個(gè)Cortex-A57內(nèi)核和4個(gè)Cortex-A53內(nèi)核，與驍龍805芯片相比性能提升25%-55%，能耗降低20%。驍龍810配置全新的Adreno 430 GPU，性能比Adreno 420提高30%。”

高通計(jì)劃通過更多的內(nèi)核、能耗降低20%，與英特爾競爭。Adreno 430是Adreno 420的后續(xù)產(chǎn)品，性能的提升主要來自制造工藝由28納米提升為20納米。

最先進(jìn)的調(diào)制解調(diào)器芯片使高通能繼續(xù)保持其競爭優(yōu)勢。英特爾的XMM 7260在性能上遜于高通的Gobi 9x35。在調(diào)制解調(diào)器技術(shù)方面的優(yōu)勢使得高通不會(huì)在英特爾的制造工藝進(jìn)步面前完全認(rèn)輸。高通在CPU中增添更多內(nèi)核的臨時(shí)解決方案不夠“節(jié)能”，但會(huì)提升性能。

結(jié)論

在設(shè)計(jì)方面，Broadwell酷睿M修正了Haswell的諸多缺陷。高通擁有優(yōu)秀的CPU/GPU/調(diào)制解調(diào)器解決方案，以及能添加NFC(近距離通信)和無線充電功能的半定制設(shè)計(jì)。

英特爾將推出第二代FinFET芯片，有更多的時(shí)間開發(fā)更好的CPU/GPU/調(diào)制解調(diào)器設(shè)計(jì)。在價(jià)格和性能方面，英特爾大幅縮小了與高通之間的差距。