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美光今天宣布推出新一代企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)“P400m”，和上代P400e一樣采用自家產(chǎn)的25nm MLC閃存顆粒，不過(guò)讀寫(xiě)速度有了明顯提升。

P400m還是2.5寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格和7.0毫米超薄厚度，重量不超過(guò)125克，容量依然有100GB、200GB、400GB三種版本，SATA 6Gbps接口，但性能較上代增強(qiáng)不少：最高持續(xù)讀寫(xiě)速度可達(dá)350MB/s、300MB/s，最高隨機(jī)讀寫(xiě)速度可達(dá)55000 IOPS、17000 IOPS。——相比之下，P400e的持續(xù)寫(xiě)入最高只有140MB/s，隨機(jī)讀取則只有50000 IOPS。

200GB型號(hào)隨機(jī)寫(xiě)入降至16000 IOPS，100GB型號(hào)持續(xù)寫(xiě)入降至210MB/s，隨機(jī)讀寫(xiě)降至50000、14000 IOPS。

P400m的主控和近期發(fā)布的消費(fèi)級(jí)M500系列一樣，使用了Marvell 88SS9187�？煽啃陨铣�了自行開(kāi)發(fā)固件、200萬(wàn)小時(shí)平均故障間隔時(shí)間、1.75/3.5/7PB終身數(shù)據(jù)寫(xiě)入量、先進(jìn)讀寫(xiě)管理、數(shù)據(jù)路徑保護(hù)、物理掉電保護(hù)，還特別支持“XPERT”(拓展性能與增強(qiáng)可靠性技術(shù))，典型功耗低于7.5W。

M500系列的閃存已經(jīng)進(jìn)化到20nm，如此看起來(lái)，20nm閃存的可靠性仍然達(dá)不到企業(yè)級(jí)的要求。