DDR4震撼亮相!引爆服務(wù)器內(nèi)存生死斗
中關(guān)村在線 發(fā)表于:12年08月02日 09:56 [轉(zhuǎn)載] 中關(guān)村在線
DDR4服務(wù)器內(nèi)存發(fā)展簡介
作為計算機系統(tǒng)的關(guān)鍵組件之一,內(nèi)存在計算性能方面的影響十分重大。尤其是在服務(wù)器領(lǐng)域,系統(tǒng)對內(nèi)存的要求會遠遠高出桌面應(yīng)用領(lǐng)域的內(nèi)存要求。服務(wù)器內(nèi)存向來十分注重穩(wěn)定、高效、糾錯的功能,在產(chǎn)品普及應(yīng)用的同時,內(nèi)存技術(shù)也在不斷更新升級,而這勢必又會引發(fā)新一輪服務(wù)器內(nèi)存生死較量。
去年1月份,三星推出業(yè)界首個DDR4 內(nèi)存模組(2GB DDR4,基于30nm和39nm制程,可實現(xiàn)1.2V工作電壓下最大2133Mb/s數(shù)據(jù)傳輸,相比DDR3可降低40%的功耗)。本月早些時候,三星宣布推出針對企業(yè)級的業(yè)界首個16GB DDR4內(nèi)存模組,此次推出的企業(yè)級DDR4內(nèi)存模組,基于30nm制程工藝制造,目前主要有單條6GB、16GB兩種規(guī)格。
在去年三星首次推出2GB DDR4內(nèi)存模組后的3個月,也就是2011年4月,Hynix海力士(現(xiàn)代旗下)推出了2400MT/s的2GB DDR4。它也是基于30和39nm制程工藝,工作電壓同為1.2V。
在介紹DDR4的時候,就不能不提JEDEC。JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會,它是微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu))早在2005 年的時候,就在為DDR3的推出制定標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。而更高架構(gòu)的DDR4則是在2008年開始實施,并有望在今年最終確定技術(shù)規(guī)范。
三星首個16GB DDR4內(nèi)存
作為DDR3的繼承和發(fā)展,DDR4將擁有兩種內(nèi)存規(guī)格,分別為SE信號和微分信號。根據(jù)國外的報告數(shù)據(jù),DDR4將在2013內(nèi)存市場占據(jù)5%的市場份額,而在2015年,將會成為市場上的主流內(nèi)存產(chǎn)品,并占據(jù)50%的市場份額。而且DDR4內(nèi)存有望在2014年首先應(yīng)用于服務(wù)器領(lǐng)域,然后才會逐漸進入桌面平臺。
DDR4內(nèi)存顛覆性變革
前面我們簡單介紹了三星此次最新推出的DDR4內(nèi)存技術(shù)。DDR4將能顯著增加內(nèi)存容量和帶寬,緩解內(nèi)存資源應(yīng)用的各種瓶頸性問題。大幅降低功耗也使得DDR4將會在超極本、平板電腦等移動平臺上得到廣泛應(yīng)用。
目前,很多移動智能終端都采用了1.2v的低功耗DDR(LPDDR)內(nèi)存。而下一代產(chǎn)品LPDDR3,將能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上降低35%至40%的功耗,但它會比DDR4高出40%的成本(LPDDR產(chǎn)品生產(chǎn)成本更為昂貴)。
內(nèi)存技術(shù)發(fā)展預(yù)期
DDR4內(nèi)存 對服務(wù)器而言意義更大
當(dāng)然,我們要說的DDR4內(nèi)存,其在服務(wù)器領(lǐng)域的影響更為深刻。比如,英特爾計劃將在2014年開始在服務(wù)器平臺上使用DDR4。服務(wù)器平臺是可以說是DDR4的極大推進者,因為它們對帶寬和低電壓的需求比其他平臺要強烈的多。
借助DDR4內(nèi)存技術(shù),服務(wù)器平臺能夠獲得更高的性能的同時,大幅降低功耗。目前包括三星、Micron公司都宣布著手生產(chǎn)基于DDR4標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存芯片產(chǎn)品,而且是迄今為止體積最小采用30nm制程工藝的DDR4內(nèi)存芯片。
通過采用新的電路板結(jié)構(gòu)設(shè)計,三星DDR4內(nèi)存數(shù)據(jù)吞吐將有望達到3.2Gbps,相比當(dāng)今DDR3的1.6Gbps和DDR2的800Mbps實現(xiàn)性能大幅提升。此外,DDR4的內(nèi)存還能給服務(wù)器平臺帶來更高的計算密度和擴展性。
DDR4和DDR3內(nèi)存結(jié)構(gòu)對比(圖片來自網(wǎng)絡(luò),下同)
Micron的DDR4內(nèi)存模組有望在明年實現(xiàn)量產(chǎn),測試用內(nèi)存模組已經(jīng)提交給系統(tǒng)廠家。而三星內(nèi)存模組則有望年內(nèi)實現(xiàn)批量生產(chǎn)。
DDR3升級到DDR4是過去以來DDR內(nèi)存技術(shù)更新從未有過的顯著變化。在DDR3同樣的帶寬情況下,DDR4能夠?qū)崿F(xiàn)30%-40%的功耗節(jié)省
。而如果DDR4滿負荷運行的話,其
性能又在DDR3基礎(chǔ)上實現(xiàn)翻番
DDR4引發(fā)市場生死斗
在服務(wù)器領(lǐng)域,DDR4內(nèi)存升級的意義遠比在其他平臺上顯得尤為重要。其性能的提升、功耗的降低、制程的精細、計算密度的提升和擴展性的進一步擴充,勢必會帶來服務(wù)器的新一輪升級換代,在業(yè)已競爭激烈的服務(wù)器領(lǐng)域點燃起又一輪生死斗。
首先,在任何一個行業(yè),最先推出創(chuàng)新產(chǎn)品的公司,在搶占更多市場份額方面必定更有優(yōu)勢。尤其是這種DDR4內(nèi)存芯片的率先發(fā)力,必定會吸引眾多用戶和合作伙伴的眼光,推動新一輪產(chǎn)品的更新?lián)Q代
。三星、美光(Micron)、海力士(Hynix)率先發(fā)力,都極力在DDR4內(nèi)存市場上捷足先登。
在服務(wù)器市場,尤其是在本文重點要討論的企業(yè)級領(lǐng)域,又與消費級市場不同。它在較長的時間段內(nèi)都能保持比較平穩(wěn)的過渡,即使DDR4內(nèi)存廠商“以誠待人”高性價比推出DDR4內(nèi)存產(chǎn)品,也并不能快速圈定行業(yè)用戶。畢竟它還與以下種種因素息息相關(guān):
1、處理器尤其是英特爾、AMD等半導(dǎo)體廠商的平臺支持;
2、服務(wù)器等OEM廠商的設(shè)計支持;
3、行業(yè)用戶的實際應(yīng)用。
英特爾DDR內(nèi)存技術(shù)路線圖
可以肯定的是,在整個生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域都獲得支持的情況下,虛擬化、數(shù)據(jù)庫等對內(nèi)存資源需求最為迫切的應(yīng)用場景中,DDR4將會最先、最快獲得普及。英特爾路線圖也揭示在其至強Haswell-EX平臺上新增了對DDR4的支持,不過恐怕得等到2014年。而對桌面和筆記本領(lǐng)域的DDR4支持,有可能會晚于該時間點。
特別值得一提的是,云平臺尤其是私有云的構(gòu)建和部署,會對這種更高性能、更低功耗、更強擴展性和更高計算密度的內(nèi)存產(chǎn)品,產(chǎn)生海量需求。而目前大數(shù)據(jù)面臨的挑戰(zhàn),也需要充分發(fā)揮除了CPU以外的更多資源,比如基于內(nèi)存計算的大數(shù)據(jù)解決方案
。從而幫助人們利用大數(shù)據(jù)帶來的機遇,獲得更智能、高效的發(fā)展。
因此,以上的種種,無不預(yù)示著DDR3向DDR4遷移的進程和周期會比歷史上的任何一次高級別DDR遷移來的更快、周期更短
。這種速度和時間上的變化,是否也同樣預(yù)示著服務(wù)器內(nèi)存更加激烈的生死斗呢?
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