聯(lián)芯科技將于明年二季度推出40納米LTE芯片
陳敏 發(fā)表于：11年10月25日 13:47 [轉載] 網易科技
10月25日消息，大唐電信集團下屬全資子公司聯(lián)芯科技在參加由國際電信聯(lián)盟(ITU)主辦的“2011年世界電信展”期間透露，該公司將于2012年第二季度推出40納米LTE芯片。
據了解，聯(lián)芯科技即將推出的40納米LTE芯片可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自動切換，支持下行150兆/秒，上行50兆/秒的數(shù)據吞吐率。在下一階段，聯(lián)芯科技的芯片產品還將向28納米或更高工藝演進。
在“2011年世界電信展”期間，聯(lián)芯科技展示了覆蓋TD-LTE雙模終端、TD智能終端等多個領域的自研芯片及解決方案產品。其中，DTivy L1760 TD-LTE/TD-HSPA雙模終端解決方案，是目前業(yè)內首款TD-LTE/TD-HSPA雙�；鶐幚砥餍酒壳安捎�65納米工藝。據悉，基于該芯片及方案的數(shù)據卡產品正在參加工信部和中移動的LTE規(guī)模試驗測試。
在此之前，另一家國內芯片廠商展訊通信的董事長兼CEO李力游透露，展訊有望在今年年底前推出基于40納米技術的LTE芯片。據悉，展訊已于2011年1月推出全球首款采用了40納米技術的商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片。
